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Sifotonics的10G－PON用1577nm APD指標(biāo)有突破

2015-08-17 21:17:59 未知
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Sifotonics最近在10G PON 1577nm APD產(chǎn)品的指標(biāo)有突破，室溫和高溫靈敏度比傳統(tǒng)III-V產(chǎn)品好0.5-1dB，已送樣給國(guó)內(nèi)外大客戶認(rèn)證。該產(chǎn)品將大批量用于下一代光纖到戶10G PON設(shè)備中。
 
Sifotonics作為硅光電子技術(shù)領(lǐng)域的國(guó)際領(lǐng)先公司，致力于研發(fā)Ge/Si 材料，創(chuàng)始于麻省理工。公司投資的關(guān)鍵設(shè)備達(dá)世界領(lǐng)先水平，保證其批量生產(chǎn)能力。Sifotonics從成立之初就致力于硅光電子的集成， 作為硅基光電集成芯片技術(shù)的先驅(qū)者，公司開發(fā)了大規(guī)模光電集成芯片所需的關(guān)鍵技術(shù)，擁有十幾項(xiàng)美國(guó)專利。SiFotonics的硅光子器件的性能一直在穩(wěn)定提升， 10G和25G APD憑借更高的雪崩增益帶寬積，其關(guān)鍵的靈敏度指標(biāo)已開始超越傳統(tǒng)InP工藝的水平。10G APD產(chǎn)品的突破性進(jìn)展，表明硅光子領(lǐng)域商用的時(shí)代已開始。

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