Microsemi公司推出13 RF，微波和毫米波器件
2015-05-18 21:11:08 未知2015年IEEE MTT-S國際微波研討會暨展覽會（IMS 2015）在亞利桑那州鳳凰城（5月17日至22日），加利福尼亞Aliso Viejo的Microsemi的的公司，CA，USA（其中設計和制造的模擬和RF器件，混合信號集成電路和子系統進行通信，國防與安全，航空航天和工業市場）的特色從射頻，微波和毫米波集成電路，模塊，單片微波集成電路（MMIC）和其投資組合的13項新產品子系統。憑借廣泛的產品系列涵蓋DC到140GHz，新器件適用于國防，通信，儀器儀表，工業和航空航天等行業。
高度差異化的新產品“迎合我們的客戶群，以及在國防行業的增長預測，通訊，儀器儀表的移動需求，工業和航空航天市場，”規范希爾德雷思，副總裁兼Microsemi的分立產品部總經理說：集團。 “Microsemi的提供射頻，微波和毫米波天線對位解決方案，逐步側重于高性能半導體（CMOS，硅鍺，砷化鎵，氮化鎵和InP）和封裝技術，”他補充道。 “這使我們與行業領導者不斷努力在我們的目標市場來解決復雜的工程問題的離散，RFIC，MMIC，模塊和子系統的水平。”
產品展示而在IMS包括以下內容：
覆蓋L-＆S波段，以800W的GaN HEMT射頻功率晶體管
Microsemi的擴大的射頻功率晶體管家族基于氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）碳化硅（SiC）的技術包括額定150W和800W之間的五個新L-和S波段RF功率晶體管。新1012GN-800V，1214GN-600VHE，1214GN-400LV，3135GN-280LV和2425GN-150CW RF功率晶體管提供性能在尺寸，重量，功率和效率方面適用于范圍廣泛的航空電子設備，雷達，以及工業，科學和醫療（ISM）應用。
射頻模塊和子系統
所述L0618-50-T523是一個高功率的寬帶氮化鎵放大器，可提供飽和輸出功率在6-18GHz的頻率范圍內的100W，并提供在緊湊10“×8.25”×6“機架安裝配置。設計用于陸地移動電子戰應用程序，它在-20°C至+ 50°C基板溫度運行，并帶有散熱片和風扇進行冷卻。該放大器故障保護，過溫度和反向電源監視器，并經營從一個28-36V DC電源。
單片SPST PIN開關元件通過提供40GHz的低損耗
Microsemi的MPS4101-012S和MPS4102-013S是被設計以最小的寄生電感以在整個50MHz至40GHz的頻率范圍內提供最佳的插入損耗和隔離特性的單片硅單片串并聯的元件。該產品是合適替代常規分流式芯片和串聯式梁式引線PIN二極管中的寬帶微波開關的制造正常使用。
小于31分貝在26GHz1.1分貝插入損耗和隔離，再加上5納秒的快速開關時間，同時處理連續波（CW）功率3W的，該設備適合寬帶高線性度的應用，如測試設備，電子對抗（的ECM）和電子戰（EW）。該產品符合每個歐盟指令2002/95 / EC RoHS要求。
寬帶同軸限制器提供接收器保護100W CW
Microsemi的GG77317-01通過GG77317-05系列寬帶同軸電纜限制器的提供都聲稱什么是跨越10MHz的前所未有的連續功率處理能力至2.5GHz，10MHz至4GHz的和10MHz至6GHz的頻段。能夠限制60W的，70W和入射CW功率100W的，寬帶同軸限制器適于在ECM接收機保護，EW，雷達和測試設備的應用程序。同軸限制器設有插入損耗低至0.3分貝和最大VSWR（電壓駐波比）的1.4的值：1在2-3GHz的頻率范圍內。所有器件型號提供峰值射頻功率處理能力和1.5-2μs典型的恢復時間1000W。
適合在惡劣的環境中使用，以及射頻和微波實驗室的應用中，PIN二極管為基礎的限配備SMA母連接器，旨在滿足或超過MIL-STD-883的環境條件而不損壞。
MMIC產品Microsemi的產品組合涵蓋直流到65GHz的頻率范圍和目標范圍廣泛的應用，包括那些在電子戰，雷達，測試和測量儀器，和微波通信。該產品系列是基于高性能的工藝技術和包括高功率和低噪聲寬帶放大器，放大器模塊，預定標器，衰減器和開關。該公司提供17個分布式放大器產品。其預定標器結合更高頻率操作時，可以靈活地由大量的比率劃分，和什么聲稱是優良的殘留相位噪聲。
