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Cree公司推出替換雷達系統(tǒng)行波管放大器的GaN HEMT器件

2015-05-18 21:18:23 未知

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北卡羅來納州達勒姆，美國Cree公司公司日前推出了兩款氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）射頻設備被認為解決了許多雇用傳統(tǒng)行波管雷達系統(tǒng)長期存在的問題是（TWT）放大器。 GaN系固態(tài)放大器在50V操作不容易看到的高電壓（kV）行波管的電源的故障機制，從而提供更長的壽命。此外，這種固態(tài)系統(tǒng)提供能力接近即時的 - 沒有熱身，更長的檢測范圍，提高目標識別。

從一開始，使這些系統(tǒng)優(yōu)勢的設想，Cree公司的兩個新的GaN RF晶體管已設計，以提供最高的功率和效率住在一個小的封裝尺寸。據(jù)稱，所述第一設備（CGHV59350，350W /50Ω全匹配的GaN HEMT）是市場上的最高功率的C波段晶體管，而第二個（對CGHV31500F，一個500W /50Ω的GaN HEMT）是highest-功率S波段晶體管完全匹配到50Ω的單端封裝的尺寸。這兩款器件都被證明在IEEE MTT-S國際微波研討會（IMS 2015）在亞利桑那州鳳凰城，美國（5月17-21日）。

圖片：Cree的CGHV59350和CGHV31500F的GaN HEMT。

“Cree的新的C波段和S波段的產(chǎn)品打破電力紀錄住在一個小的封裝50ΩGaN功率和效率的表現(xiàn)，”湯姆稱德克爾，銷售和市場營銷，Cree公司射頻主任。 “這種高效的動力使晶體管來實現(xiàn)需要用于國防，天氣和空中交通管制雷達多千瓦功率放大器的組合的經(jīng)濟，”他補充道。 “如果我們認為值得的動力輸出相對射頻到50Ω封裝領域的人物，Cree的350W C波段器件擊敗最接近商業(yè)化的GaN的競爭對手了約3.5倍。使用功德的數(shù)字相同，Cree的500W S-帶內(nèi)設備提高了45％的酒吧比其他商業(yè)S波段的產(chǎn)品。“

提供脈沖飽和功率性能通常比400W越大，CGHV59350最常用于在陸基防御和多普勒氣象雷達系統(tǒng)。該50Ω，完全匹配的氮化鎵HEMT工作在5.2-5.9GHz帶寬和具有60％的典型漏極效率。

典型的飽和RF脈沖功率700W提供的CGHV31500F提供空中交通管制雷達系統(tǒng)。該50Ω，完全匹配的氮化鎵HEMT工作在2.7-3.1GHz帶寬和具有12分貝功率增益。

兩款器件均封裝在一個行業(yè)標準0.7“×0.9”陶瓷/金屬法蘭封裝。