宜普推出專為大電流及具高降壓比轉換器應用而設的開發板
2014-04-25 20:44:27 本站原創EPC9016開發板內含40 V增強型氮化鎵場效應晶體管(eGaN®FET)，是一種25 A最大輸出電流并采用并聯配置的電路設計，可提高電流能力達67%，其最優版圖技術可實現最優化效率。
宜普電源轉換公司宣布推出EPC9016采用半橋式配置的開發板，專為采用氮化鎵場效應晶體管的大電流、高降壓比、降壓中間總線轉換器(IBC)應用而設。與采用單一高側(控制)場效應晶體管相比，我們并聯了兩個低側(同步整流器)場效應晶體管使得傳導時間更長。
與硅MOSFET器件相比，氮化鎵場效應晶體管具備超卓的電流共享功能，為理想的可并聯工作的晶體管。這塊開發板在最優版圖上進一步發揮采用超低電感封裝的氮化鎵場效應晶體管的性能。這種最優版圖技術提高了效率并同時降低電壓過沖及EMI。
EPC9016 開發板的最高電壓為40 V、最大輸出電流為25 A，使用半橋配置、配以EPC2015 氮化鎵晶體管及板載柵極驅動器(LM5113)。該半橋配置含單一頂部器件及兩個并聯的底部器件，建議用于具有高降壓比例的降壓轉換器應用包括負載點轉換器及給非隔離型通信基建使用的降壓轉換器應用。
EPC9016 開發板是塊2英寸x1.5英寸單板，板上集成了所有關鍵元件及配以最優版圖以實現最優開關性能。此外，電路板上還備有多個探測點，以便測量簡單的波形及計算效率。
隨EPC9016開發板一起提供的還有一份供用戶參考和易于使用的速查指南，內載有詳細資料。
EPC9016開發板的單價為130美元，客戶可以透過DigiKey公司在網上直接購買。
