恩智浦推出首款采用1.1-mm2無鉛塑料封裝的3 A晶體管
2013-11-04 21:28:43 本站原創恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)近日推出首款采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN(分立式扁平無引腳)封裝的晶體管。全新產品組合由25種器件組成，其中包括低RDson MOSFET以及可將電流能力最高提升至3.2 A的低飽和通用晶體管。該全新產品系列憑借其超小外形和高性能，非常適用于空間受限的便攜式應用中的電源管理和負載開關，這是因為外形大小、功率密度和效率在這些應用中都是極為關鍵的因素。
恩智浦半導體公司晶體管產品經理Joachim Stange表示：“在如此小的塑料封裝內達到如此高的漏極和集極電流值是前所未有的。通過這一里程碑式的突破，恩智浦會繼續挑戰MOSFET和雙極性晶體管在超緊湊封裝和性能方面的極限。”
全新產品系列采用兩種封裝：單晶DFN1010D-3 (SOT1215)封裝，功耗最高達到1 W，具有可焊鍍錫側焊盤的特性。這些側焊盤提供光學焊接檢測的優勢，與傳統無鉛封裝相比，焊接連接質量更好，因此能滿足嚴格的汽車要求。雙晶封裝DFN1010B-6 (SOT1216)，占用空間僅為1.1-mm2，是雙晶體管可采用的最小封裝。
采用DFN1010封裝的產品可以替代許多WL-CSP器件。另外，該封裝也可以取代體積更大的DFN封裝和標準含鉛SMD封裝(例如達到其八倍體積的SOT23)，同時提供同等甚至更為出色的性能。
全新產品組合的主要特點：
· 1.1 x 1 x 0.37 mm超小扁平封裝
· 功耗(Ptot) 最高達到1 W
· 采用可焊鍍錫側焊盤，貼裝性能更好，符合汽車應用要求
· 單通道和雙通道MOSFET(N溝道/P溝道)
· RDSon值低至34mOhm
· ID最高達到3.2 A
· 電壓范圍為12 V至80 V
· 1 kV ESD保護
· 低VCEsat (BISS)單晶體管
· VCEsat 值低至70 mV
· 集極電流(IC)最高達到2 A，峰值集極電流(ICM)最高達到3 A
· VCEO范圍為30 V至60 V
· 符合AEC-Q101標準
· 雙通道NPN/PNP配電阻(數字)晶體管(100 mA，R1=R2=47 kOhm /符合AEC-Q101標準)
· 通用單晶體管和雙晶體管
上市時間
采用DFN1010封裝的全新晶體管現已量產，即將上市。
