超耐用LDMOS提升功率：恩智浦發布BLF188XR
2013-08-14 08:13:59 本站原創恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)今日推出BLF188XR – 其XR系列“超耐用” LDMOS 射頻功率晶體管的最新成員。BLF188XR專為最嚴酷的工程環境而設計，真實條件下耐用性更強， 能夠在5dB壓縮點承受超過65：1駐波比的嚴重負載失配。BLF188XR能提供出色的1600 W峰值輸出功率，其工作電壓可高達60 V，并且仍能通過極為嚴格的耐用性測試。其他主要特性包括：更強大的集成ESD保護，能使BLF188XR用于C類操作模式;幾種增強型功能，能使XR系列器件在多種應用中易于設計和調試。
BLF188XR另一項令人關注的特性是其卓越的線性度，該特性使BLF188XR成為高功率線性應用的極佳選擇。BLF188XR非常適合頻率范圍小于300 MHz的大規模工業、科學和醫療(ISM)應用，而廣受歡迎的BLF578XR系列的建議使用頻率范圍為500 MHz以內。恩智浦本周在2013年IEEE MTT-S國際微波研討會(IMS 2013)上展示BLF188XR。
恩智浦半導體射頻功率事業部市場總監Mark Murphy表示：“我們的‘超耐用’系列目前具有更強的耐用性，完全滿足最苛刻的射頻負載要求，并且采用恩智浦最新的高電壓LDMOS技術，輕松超越VDMOS的性能、耐用性和可靠性。全新的BLF188XR借助BLF578XR的成功之處，擴展了我們的產品組合，并帶來額外的耐用性、線性度、功率和簡化設計。憑借作為ISM市場領先的射頻功率產品供應商所創下的驕人業績，我們已將BLF188XR設計為極具吸引力的解決方案，在激光器、MRI、射頻照明和射頻干燥以及VHF/FM廣播發射機等各種低頻應用。”
上市時間
合格客戶現在可索取BLF188XR工程樣品。
