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在三星電子負責 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器 ）工藝長達十年后，一位 43 歲、化名 A 的工程師于 2023 年入職 SK 海力士。最令他驚訝的并非技術(shù)工作本身，而是擺脫了他口中 “虛假匯報文化” 后的解脫。在三星，跨部門項目常常會暴露出工藝或設(shè)計上的缺陷，但為了避免內(nèi)部追責，這些問題通常會被輕描淡寫地帶過。“所有人都清楚這種‘游戲規(guī)則’，” 他表示，“把問題最小化，否則你的團隊就會‘遭殃’?！?/span>

工程師 B 畢業(yè)于頂尖工程院校后加入三星，在該公司工作了八年，也表達了類似的看法。他原本以為韓國領(lǐng)先的芯片制造商之間不會有太大差異，卻發(fā)現(xiàn) SK 海力士的運作模式截然不同：自下而上的決策機制以及公開的內(nèi)部競爭?！霸谌?，對于任何新提議，第一反應往往是‘如果失敗了，你能承擔責任嗎？’” 他說道，“僅這一點就扼殺了創(chuàng)新?！?/span>

隨著三星在存儲芯片領(lǐng)域的主導地位逐漸削弱—— 尤其是在高帶寬內(nèi)存（HBM ）和 DRAM 方面 —— 行業(yè)分析師指出，頂尖工程人才的流失正在加速一場更深層次的危機。C 今年 51 歲，在三星設(shè)計 DRAM 工藝近 20 年，如今在 SK 海力士領(lǐng)導第六代（1c ）10 納米級 DRAM 的開發(fā)工作。他表示，近年來從三星跳槽到 SK 海力士的情況大幅增加。“這不僅僅是薪資的問題，” 他說，“而是僵化的層級制度、表面功夫式的職場政治，以及抑制冒險精神的人力資源體系?！?/span>

在爭奪人工智能時代存儲芯片主導權(quán)的競賽中，這種內(nèi)部創(chuàng)新的退縮愈發(fā)明顯。據(jù) B 介紹，SK 海力士鼓勵不同團隊之間就競爭性封裝技術(shù)（如 MR - MUF 和混合鍵合技術(shù) ）展開競爭，然后根據(jù)性能和成本進行篩選。而在三星，他表示，首要考慮的是如果出現(xiàn)問題，誰會被追責。

這背后的利害關(guān)系重大。SK 海力士的內(nèi)部競爭已經(jīng)帶來了突破：工程師們曾認為 MR - MUF 技術(shù)無法擴展到 16 層以上。但通過內(nèi)部反復迭代，該公司將其擴展到了 20 層，大幅提升了效率。B 將這種做法與臺積電的做法相提并論：“把現(xiàn)有工具用到極致，以降低成本并在性能上領(lǐng)先?！?/span>

相比之下，三星仍存在規(guī)避風險的心態(tài)。“當?shù)谝粋€問題是‘你能保證這會成功嗎？’時，新想法就會戛然而止。”B 說道。

如今，人才外流已不僅僅局限于存儲芯片領(lǐng)域。隨著下一代 HBM4 整合邏輯芯片（這需要先進的晶圓代工工藝 ），SK 海力士已開始招募三星的 FinFET（鰭式場效應晶體管 ）工程師。自 2024 年以來，已有小團隊陸續(xù)跳槽，每次有兩到三人。

43 歲的前晶圓代工工程師 D 提到，長期虧損、產(chǎn)能利用率低以及對業(yè)務分拆的猜測是他離職的原因。他還指出，三星備受推崇的存儲部門與其晶圓代工業(yè)務之間存在士氣差距。

現(xiàn)就職于 SK 海力士的高級研究員 E 則把矛頭指向三星的 “血統(tǒng)心態(tài)”?！俺悄闶峭ㄟ^公司內(nèi)部體系一步步升上來的，否則幾乎不可能進入存儲部門的領(lǐng)導層。” 他表示。

相反，SK 海力士不論資歷，只看業(yè)績，不僅任用從三星跳槽過來的資深人士，還讓不太知名的軟件專業(yè)人士擔任關(guān)鍵崗位。這種開放態(tài)度已見成效。曾經(jīng)在 NAND 閃存技術(shù)方面落后的 SK 海力士，如今已縮小了差距。其近期推出的高利潤率產(chǎn)品，性能已達到或超過三星和美光的同類產(chǎn)品。

關(guān)鍵招聘起到了重要作用。崔正達爾（音譯）曾在 SK 海力士領(lǐng)導開發(fā)出全球首款 321 層 NAND 閃存，他此前是三星的高管，還曾獲得三星的 “三星驕傲獎”。他的前任鄭泰成（音譯）在加入 SK 海力士之前，也在三星工作了二十年。

專家表示，三星的問題并非出在技術(shù)上，而是結(jié)構(gòu)上。“這是一個‘管理優(yōu)先’的組織，” 西江大學商學院教授金永珍（音譯）表示，“工程決策要經(jīng)過財務指標的篩選。如果領(lǐng)導層不重置這套體系，三星的半導體優(yōu)勢可能會繼續(xù)被削弱。”