美高森美推出用于航天、商業(yè)航空和國(guó)防應(yīng)用線性調(diào)節(jié)器
2013-07-18 20:38:25 本站原創(chuàng)美高森美公司(Microsemi Corporation)為其抗輻射(radiation-hardened)解決方案產(chǎn)品組合增添兩款用于航天、商業(yè)航空和國(guó)防應(yīng)用的全新超低壓降(Ultra-low dropout, ULDO)線性負(fù)載點(diǎn)(POL)調(diào)節(jié)器。MHL8701和MHL8705調(diào)節(jié)器是其中的首批器件，帶有一個(gè)集成式單粒子效應(yīng)(SEE)過(guò)濾器，防止通常出現(xiàn)在航空和航天應(yīng)用中的重離子引起的軟錯(cuò)誤，新型調(diào)節(jié)器還可以與公司的耐輻射(radiation-tolerant) SoC和FPGA解決方案共用。
這些密封調(diào)節(jié)器具有航天或軍事等級(jí)，新器件正在生產(chǎn)并付運(yùn)至一家世界領(lǐng)先的航天技術(shù)公司，用于新的太空總線架構(gòu)方案。
美高森美公司高可靠性產(chǎn)品部門市場(chǎng)總監(jiān)Durga Peddireddy表示：“美高森美再一次應(yīng)用其超過(guò)50年的開(kāi)發(fā)高可靠性元器件的專業(yè)技術(shù)，提供“業(yè)界首個(gè)”用于航天和國(guó)防應(yīng)用的產(chǎn)品。我們利用廣泛的行業(yè)知識(shí)，結(jié)合不斷的產(chǎn)品和技術(shù)投資，以滿足客戶需求，并且以更快的步伐提供高可靠性元器件和系統(tǒng)解決方案，從而在這些領(lǐng)域取得成功。”
美高森美在美國(guó)馬薩諸塞州的設(shè)施最近獲得美國(guó)國(guó)防后勤局(Defense Logistics Agency, DLA)的Laboratory Suitability認(rèn)可，用于電離總劑量(TID)、增強(qiáng)低劑量輻射敏感性(ELDRS)和SEE輻射測(cè)試，符合MIL-STD-883規(guī)范。
MHL8701和MHL8705在MIL-PRF-38534認(rèn)證設(shè)施中裝配，并且通過(guò)美高森美的Hi-Rel Qualification Level (MHQLTM)項(xiàng)目進(jìn)行品質(zhì)認(rèn)證，以滿足航天和軍事要求。根據(jù)1019方法，這些器件已經(jīng)達(dá)到300 Krad TID的輻射性能，ELDRS 則達(dá)到100 Krad額定值，并根據(jù)ASTM 1192F進(jìn)行單粒子測(cè)試。
產(chǎn)品信息
MHL8701和MHL8705器件經(jīng)優(yōu)化后可在+5V或+3.3V輸入電壓下運(yùn)作，分別具有3A 和5A額定電流，并且在2A下提供400mV超低壓降，使用一個(gè)集成式SEE過(guò)濾器來(lái)防止通常發(fā)生在地面水平和空降應(yīng)用中可能由于亞原子輻射粒子造成的軟數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。
主要特性：
- SEE測(cè)試達(dá)到85 megaelectron-volts (MeV)，無(wú)閂鎖
- ELDRS測(cè)試達(dá)到100 Krad，供電性能 <+/- 5%
- 超低壓降電壓：400mV @ 2.0A
- 最大熱阻：3.0 degrees C/ W
- 過(guò)程中的DLA 標(biāo)準(zhǔn)微電路圖形(SMD)認(rèn)證
美高森美全新調(diào)節(jié)器非常適合與公司的航天額定耐輻射RTAX-S/SL/DSP、RTSX-SU和RT-ProASIC3 FPGA共用，新型調(diào)節(jié)器通常可以提供FPGA所需的全部?jī)?nèi)核和I/O電壓。而且這些FPGA器件專為航天應(yīng)用而設(shè)計(jì)，使用高度可靠的非易失性反熔絲和閃存技術(shù)，它們通常具有高達(dá)400萬(wàn)等價(jià)系統(tǒng)門和840個(gè)用戶I/O密度，為設(shè)計(jì)人員提供了靈活的可編程平臺(tái)。
一直以來(lái)，美高森美為航天和國(guó)防行業(yè)提供高可靠性元器件超過(guò)了50年，其抗輻射和耐輻射產(chǎn)品組合包括：FPGA、SoC FPGA、ASIC、POL轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電壓調(diào)節(jié)器(線性和開(kāi)關(guān))、RF元器件、雙極晶體管、MOSFET和氮化鎵(GaN)產(chǎn)品。這些產(chǎn)品中的大多數(shù)獲得了DLA認(rèn)證，符合MIL- PRF- 19500和MIL- PRF- 38534品質(zhì)要求。
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