TriQuint加速了氮化鎵的供應速度
2013-07-02 21:37:52 本站原創TriQuint半導體，日前發布了15款新型氮化鎵( GaN )放大器和晶體管以及兩套全新的氮化鎵工藝。這些產品為通訊系統提供了性能、尺寸和耐用性的優勢。
TriQuint公司中國區總經理熊挺指出由于TriQuint的工藝和產品解決方案的發展, 使得射頻制造商更容易獲取氮化鎵的性能和優勢。熊挺表示：“此項新發布也顯示TriQuint加速了其創新的步伐。除了三套由包裝、裝配及測試服務支持的氮化鎵工藝外，客戶還能獲取更多其它世界一流的產品。TriQuint全面解決最苛刻的射頻要求，能夠靈活地支持所有的客戶。”
著名的研究機構Strategy Analytics預見了氮化鎵這種極具意義的增長。半導體業務部總監Eric Higham說：“雖然國防領域是氮化鎵最大的營收來源，但氮化鎵在基礎構架正迅速地發展壯大。通訊衛星 (Sat-Com)、功率和有線電視(CATV)也大大飆升了氮化鎵的營收。 Strategy Analytics預測到2015年，氮化鎵微電子裝置的市場將以超過34%的復合年均增長率(CAAGR)增長大約至1.86億美元。”
TriQuint在原有的四分之一微米工藝中補充了一個高壓變體--TQGaN25HV。此新的制造工藝延伸了0.25微米氮化鎵的漏極操作電壓至48V，同時為DC-10 GHz應用提供更高的擊穿電壓、更強的功率密度和高增益。這些優勢實現更堅固的設備， 可承受可能會破壞其他電路的電壓駐波比(VSWR)的不匹配，同時提供更多的射頻輸出功率。TriQuint的新產品T1G4012036-FS/FL使用了此新的制造工藝，該款新產品是一個適用于基礎構架的120W功率封裝晶體管，體積比類似的LDMOS裝置小了將近三分之二。其他以TQGaN25HV構建的產品現也已提供。
TriQuint以其TQGaN15工藝將氮化鎵技術推向了新的極限。該工藝將氮化鎵的頻率范圍擴大至了40 GHz，同時提供高功率密度和低噪聲性能。此0.15微米的氮化鎵-碳化硅(SiC)工藝用于制成TriQuint新型的TGA2594(5W)和TGA2595(10W)Ka波段的VSAT地面終端放大器。它們有高達35%的功率附加效率(PAE)，體積與相對的砷化鎵(GaAs)解決方案也小了三倍。其他以TQGaN15構建的產品現也已提供。
TriQuint 全新氮化鎵解決方案的產品組合還包括了突破性的TAT9988，一個可用于有線電視和光纖到戶光學網絡的直接接入電路板式單片式微波集成電路(MMIC)放大器。TAT9988由TriQuint第二代的原始TQGaN25工藝制成，在增益、復合失真性能和表面安裝便利性上都處于行業領先地位。
