Vishay發布新款具有“R”失效率的QPL鉭氮化物薄膜片式電阻
2013-07-02 21:37:29 本站原創日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通過MIL-PRF-55342認證的新系列QPL表面貼裝片式電阻---E/H(Ta2N)，該電阻具有公認的高可靠性，失效率達到每1000小時0.01%的“R”級。新款E/H(Ta2N)電阻采用耐潮的鉭氮化物電阻膜技術制造，為軍工和航天應用提供了更好的規格指標，包括0.1%的公差和25ppm/℃的TCR。
今天推出的Vishay Dale薄膜QPL電阻適用于軍工和航天應用的控制系統，在這些場合下，工作過程中的潮氣或長時間存放都是需要考慮的問題。器件的鉭氮化物電阻膜使器件的耐潮能力超過MIL-PRF-55342規定限值的50倍。
E/H(Ta2N)薄膜電阻具有小于25dB的超低噪聲，以及低至0.5ppm/V的電壓系數。電阻的卷繞端接采用牢固的粘附層，覆蓋一層電鍍鎳柵層，使器件可在+150℃溫度下工作，而粘附層產生的電阻還不到0.010Ω。
器件有M55342/01～M55342/12共12種外形尺寸，功率等級為50mW～1000mW，工作電壓為30V～200V，根據公差，阻值范圍49.9Ω～3.3MΩ。
E/H (Ta2N)薄膜電阻現已量產，供貨周期為八周到十周。
