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Microsemi發(fā)布全面性太陽(yáng)能技術(shù)產(chǎn)品系列

2011-03-21 19:36:51 本站原創(chuàng)
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  美高森美公司宣布其太陽(yáng)能技術(shù)產(chǎn)品系列現(xiàn)已供貨。美高森美面向可再生能源應(yīng)用的產(chǎn)品包括SmartFusion和IGLOO FPGA;模擬及混合信號(hào)器件如旁路二極管/開關(guān)、MOSFET、FRED和IGBT;DC-DC轉(zhuǎn)換器,以及脈寬調(diào)制(PWM)模塊。這一種類豐富的產(chǎn)品系列能夠在整個(gè)范圍的光伏(PV)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效、可靠且具有成本效益的解決方案,包括獲取電能、功率管理、功率開關(guān)和功率監(jiān)控。

  美高森美公司SoC部門總經(jīng)理兼營(yíng)銷執(zhí)行副總裁Russ Garcia表示:“由于光伏行業(yè)設(shè)計(jì)人員必須積極滿足不斷創(chuàng)新的需求,同時(shí)應(yīng)對(duì)太陽(yáng)能行業(yè)的成本和性能壓力,所以采用最新技術(shù)是至關(guān)重要的。美高森美公司提供從可編程器件和標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)貨部件直到完全定制ASIC的全面的產(chǎn)品系列,因而成為與光伏應(yīng)用設(shè)計(jì)人員共同實(shí)現(xiàn)技術(shù)和業(yè)務(wù)目標(biāo)的戰(zhàn)略合作伙伴。”

  美高森美擁有數(shù)十年提供高可靠性的創(chuàng)新性器件的豐富經(jīng)驗(yàn),而且具備較長(zhǎng)的產(chǎn)品供應(yīng)期。后續(xù)的產(chǎn)品開發(fā)焦點(diǎn)是提高靈活性、安全性和成本效益,并為不斷擴(kuò)大的光伏應(yīng)用設(shè)計(jì)社群提供全部所需部件和支持,從而將其設(shè)計(jì)快速帶入市場(chǎng)。

  • 太陽(yáng)能旁路二極管用于獲取電能

  LX2400 IDEAL太陽(yáng)能旁路器件采用Microsemi專利CoolRUN技術(shù),在光伏模塊應(yīng)用中提供一個(gè)旁路通道。該器件具有業(yè)界最低的正向電壓降,可在工作期間實(shí)現(xiàn)極低的發(fā)熱和溫升。LX2400具有同級(jí)最佳的可靠性和穩(wěn)健性,用于需要經(jīng)由模塊接線盒獲得10A或更高電流的應(yīng)用。

  Microsemi新型肖特基勢(shì)壘光伏旁路二極管是世界上最薄的型款,其厚度僅為0.74 mm,可讓客戶將其集成在玻璃下面,省去接線盒。這超薄尺寸旁路二極管也可以用于縮減接線盒尺寸。SFDS系列10A二極管是專為太陽(yáng)能面板而設(shè)計(jì)的,采用獨(dú)特的靈活的銅質(zhì)引腳,具有經(jīng)過衛(wèi)星應(yīng)用驗(yàn)證的高可靠性。

  美高森美除了提供上述的獨(dú)特封裝之外,還提供采用軸向、表面安裝和通孔安裝的廣泛的肖特基旁路二極管,其標(biāo)準(zhǔn)電流范圍是10A至18A,電壓范圍為20 V至45 V,并同時(shí)提供設(shè)計(jì)和構(gòu)建選項(xiàng),提供電流高達(dá)60 A和電壓高達(dá)200V的定制器件。

  • SmartFusion和IGLOO FPGA用于功率管理和控制

  Microsemi SmartFusion混合信號(hào)FPGA和IGLOO低功耗FPGA采用基于快閃技術(shù)的架構(gòu),是幫助逆變器設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)效率最大化,以及在較小的占位面積中集成板級(jí)功能的理想選擇。功能和算法包括更多數(shù)量的PWM狀態(tài)機(jī),最大功率點(diǎn)追蹤(MPPT)和功率因數(shù)校正(PFC)等,可在嵌入式32位ARM Cortex-M3或邏輯門之內(nèi)進(jìn)行劃分,以適合各種設(shè)計(jì)需求。

  • IGBT, MOSFET, FRED和DC-DC轉(zhuǎn)換器用于功率監(jiān)控

  新型600 V CoolMOS C6器件采用第五代高電壓超級(jí)結(jié)技術(shù),實(shí)現(xiàn)極低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗,可實(shí)現(xiàn)具有更高效率和功率密度水平的開關(guān)系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

  由于傳導(dǎo)損耗則在總體系統(tǒng)損耗方面占據(jù)主導(dǎo)地位,新型MOS 8 IGBT已經(jīng)針對(duì)低工作頻率(10 KHz — 30 KHz)而優(yōu)化。MOS 8 PT IGBT產(chǎn)品系列則在2.0 V (600 VBR(CES)) 和2.5 V (900 VBR(CES))下提供低傳導(dǎo)損耗特性。

  美高森美除了提供具有多種功率模塊電氣和機(jī)械配置的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品之外,還提供IGBT、MOSFET和FRED,推動(dòng)實(shí)現(xiàn)更高效的新型轉(zhuǎn)換器拓?fù)洌缛?jí)逆變器、交錯(cuò)式PFC升壓轉(zhuǎn)換器及矩陣轉(zhuǎn)換器。

  此外,美高森美不斷擴(kuò)大的DC/DC產(chǎn)品系列支持高達(dá)40V的輸入電壓,以及最高40A的廣泛輸出電流范圍。該系列器件包括內(nèi)置功率FET的開關(guān)調(diào)節(jié)器,以及采用外部功率FET并可在最高2 MHz頻率下運(yùn)作的控制器。

   • FPGA用于功率監(jiān)控

  SmartFusion智能混合信號(hào)FPGA在單一IC平臺(tái)上集成了模擬前端、嵌入式ARM Cortex-M3處理器和可編程邏輯資源。這一靈活性為設(shè)計(jì)人員提供了開發(fā)低功耗的可適配平臺(tái)的能力,能夠精確地監(jiān)控實(shí)時(shí)負(fù)載數(shù)據(jù),同時(shí)滿足多種安全連接性協(xié)議的要求。

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