OmniVision 推出第二代背面照度像素技術
2010-02-23 14:12:26 本站原創OmniVision Technologies是一家領先的高級數字成像解決方案開發商，今天宣布推出世界第一款 1.1 微米背面照度像素技術。這套全新的 OmniBSI-2TM 像素架構是數字成像技術發展歷史中的重要里程碑，可以為新的成像解決方案提供優越的成像質量，對低照度更為敏感。這個架構還將 OmniVision 的像素產品發展方向延伸至亞微米水平，同時也將帶動數字成像技術中的微型化發展。
OminiVision 全球行銷副總裁 Bruce Weyer 表示：“OmniBSI-2 讓高解析度成像感應器解決方案產品的外觀尺寸不斷縮小，憑借較小的 z 高度可制造超薄產品。”他還說：“OmniBSI-2 還將數字成像市場向前推進，因為它可以改善成像質量，增強低照度的性能，由此改善用戶在使用影像應用程序時的體驗。OmniBSI-2 技術還可以應用在大像素成像產品的設計上，從而獲得更佳性能，超越當前的 BSI 和 FSI 成像傳感器。”
OmniBSI-2 是 OmniVision 的第二代 BSI 技術，也是第一個利用了 65 納米設計規則，以 300 毫米銅材料工藝完成的像素技術。這項技術是我們與戰略生產合作伙伴臺積電協作完成的。在結合了特制的 65 納米設計規則和新的生產工藝模塊之后，這個 1.1 微米 OmniBSI-2 像素技術達到了行業領先的低照度敏感度，同時還可以大量改善暗電流和最大阱容。OmniBSI-2 特制的像素設計規則可以取得更優越的像素排列、更好的像素隔離，并顯著降低像素串擾。這些優勢大大超越了第一代 OmniBSITM 技術，可以產生更好的圖像質量、增強圖像的色彩并改善相機的性能。
OmniVision 的工藝工程部門副總裁 Howard Rhodes 博士表示：“將新款的 1.1 微米 OmniBSI-2 像素技術與當前的 1.75 微米 FSI 架構相比，前者的性能遠遠超越后者；同時前者還與當前正在量產的 1.4 微米BSI技術相當。在我們向 1.1 微米 BSI 像素結構轉移的過程中，必須使用臺積電最新的 300 毫米銅材料工藝，這個工藝可以顯著改善設計規則，使用更多的先進工藝工具，因此獲得更嚴謹的工藝控制，減少缺陷密度。要獲得這些成功，我們與臺積電的研發團隊緊密地合作，開發了多個新工藝模塊，以獲得在光電性能上的改善。我們還利用了我們與合資伙伴 VisEra Technologies 的合作關系，建立了 300 毫米彩色濾光片的生產能力。”
“OmniVision 和臺積電在 CMOS 成像傳感器開發過程中一直就是長期伙伴。我們的工程團隊與他們合作，推動了數字成像技術的發展，同時我們也形成了卓越的開發和生產伙伴關系。”臺積電北美分公司的業務管理副總裁 Sajiv Dalal 說到。他還接著說：“OmniVision 改用 300 毫米的生產流程后，獲得了明顯的競爭優勢。而我們將繼續投注心力，增進我們的效率，以便在技術上獲得更多領先。”
臺積電擁有世界最大的 CIS 生產能力，并且還擁有行業中最領先的 CIS 技術。在 2009 年，臺積電可生產一千萬片 8 英寸晶片，比 2008 年增加了 6%。
Rhodes 博士表示：“臺積電這個伙伴在我們轉移到這個先進工藝的過程中發揮了非常高的價值。他們在 300 毫米工藝上擁有深厚經驗和專業知識，不斷增強傳感器性能，這一切都為我們這款新像素技術提供了無限的助力。”
OmniVision 的 OmniBSI-2 新技術將在 2010 年 2 月 14 日到 18 日于西班牙巴塞羅那舉辦的移動通信世界大會正式推出，有興趣的客戶可與我們預約，安排產品展示。
