基于硅技術的2GHz WLAN功率放大器
2010-03-11 11:08:20 本站原創 SiGe 半導體公司 (SiGe Semiconductor) 現已推出 2GHz 無線 LAN 功率
SiGe 半導體 亞太區市場推廣總監高國洪表示：“SE2576L的設計焦點是易于使用和提供最大靈活性。這款 PA 模塊可讓客戶降低開發、驗證和認證成本。最重要的是，它可將 WiFi 功能性集成在各種尚未具備網絡功能的產品中，幫助客戶縮短產品上市的時間?！?
大功率 WLAN 連接性面對的挑戰是 RF PA。當 PA 在較高 RF 功率級下工作一段時間后，PA 本身的溫度往往會升高。隨著 PA 溫度的上升，它保持所需 RF 功率級的能力便會下降，這又促使 PA 控制環路提高 RF 功率，從而導致 PA 工作溫度進一步上升。PA 溫度上升除了會降低 RF 功率之外，還會減低線性度性能，最終破壞傳輸數據，并在 WiFi 頻率信道附近產生干擾。
SE2576L 采用硅鍺工藝制造，該技術與標準硅工藝基本相同，熱導性卻是砷化鎵 (GaAs) 器件的三倍。SE2576L 集成了輸入匹配電路和外部輸出匹配電路，可以針對5V、26dBm 的工作條件調節負載線，從而幫助 SiGe 半導體的客戶簡化設計、加快上市速度，并提高產品良率。
SE2576L內置有采用溫度補償的對負載不敏感的功率檢測器，動態范圍為20dB，在天線端3:1失配條件下，變化小于1.2dB。SE2576L綜合了功率檢測器功能和硅鍺技術固有散熱優勢，可在極端溫度下保持穩定的性能，適合需要特別注意自身變熱問題的大功率應用。新型WLAN PA還帶有數字激活控制功能，并集成了一個參考電壓發生器，其典型功率斜坡上升/下降時間為0.5 μs。
SE2576L 的占位面積和應用板設計與 SiGe 半導體 2GHz 大功率 WLAN PA 系列中的其它器件相同，使得終端用戶可以共享通用電路板設計，并為每款產品選擇最佳的 PA。
高國洪總結稱：“SiGe 半導體的 SE2576L 為客戶提供了滿足業界對高集成度、小占位面積 2GHz PA 模塊之需求的解決方案，這些器件能夠輕易集成進各種消費電子應用中，以提供WiFi功能?！?
SE2576L采用符合RoHS指令的無鹵素、小引腳、16腳3mm x 3mm x 0.9mm QFN封裝。這種低側高封裝非常易于集成進WLAN模塊中。
