Vishay發(fā)布業(yè)內(nèi)首款采用熱增強(qiáng)PowerPAK SC-70封裝的150V N溝道MOSFET
2014-05-08 16:32:55 本站原創(chuàng)器件的RDS(ON)比前一代器件低53%，TSOP-6封裝的占位面積小55%
賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 5 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用小尺寸、熱增強(qiáng)型SC-70® 封裝的150V N溝道MOSFET---SiA446DJ。Vishay Siliconix SiA446DJ的占位面積為2mm x 2mm，在10V下具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，可通過減少傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，在各種空間受限的應(yīng)用中提高效率。
SiA446DJ適用于隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器里的初級側(cè)開關(guān)、LED背光里的升壓轉(zhuǎn)換器，以及以太網(wǎng)供電 (PoE) 的供電設(shè)備開關(guān)、電信DC/DC磚式電源和便攜式電子設(shè)備里電源管理應(yīng)用的同步整流和負(fù)載切換。對于這些應(yīng)用，PowerPAK SC-70的占位比3mm x 2.8mm TSOP-6封裝小55%，同時熱阻低40%。
SiA446DJ采用ThunderFET® 技術(shù)制造，在10V、7.5V和6V下的最大導(dǎo)通電阻低至177mΩ、185mΩ和250mΩ。在10V下，器件的導(dǎo)通電阻比采用TSOP-6封裝的前一代器件低53%，其典型導(dǎo)通電阻與柵極電荷的乘積即優(yōu)值系數(shù)低54%，可提高效率。而且，SiA446DJ的導(dǎo)通電阻比最新的采用3mm x 2.7mm SOT-23封裝的器件低26%。
SiA446DJ加上此前發(fā)布的PowerPAK SC-70封裝的100V SiA416DJ和PowerPAK SC-75封裝的100V SiB456DK，拓展了采用小尺寸、熱增強(qiáng)封裝的Vishay中壓MOSFET的產(chǎn)品組合。器件進(jìn)行了100%的RG和UIS測試，符合RoHS，無鹵素。
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