Vishay發布用于電機控制、太陽能逆變器和其他高壓應用的寬體IGBT和MOSFET驅動器
2014-03-25 08:41:34 本站原創新器件的最短外爬電距離為10mm
賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 3 月25 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出用于電機驅動、太陽能逆變器、新能源和焊接設備，以及其他高工作電壓應用的新款IGBT和MOSFET驅動器VOW3120-X017T，擴充其光電子產品組合。VOW3120-X017T的最短電氣間隙和外爬電距離為10mm。該器件不僅具有長隔離距離，還具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔離電壓，非常適合在高工作電壓下運轉的應用及污染程度較重的環境。
除了具有優異的隔離能力，使用可靠和久經考驗的光電子技術，VOW3120-X017T還具有目前最好的的電性能。VOW3120能抑制50kV/μs的典型共模噪聲，很好地說明了該器件的噪聲隔離能力。
VOW3120-X017T的電流消耗只有2.5mA，對于要求高效工作的電源是很實用的選擇。VOW3120-X017T引以為傲的典型延遲小于250ns，上升和下降時間小于100ns，使其非常適合需要IGBT快速開關的的應用場合。
VOW3120-X017T現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為四周到六周。
