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日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都）面向智能手機(jī)等便攜設(shè)備開發(fā)出業(yè)界頂級的低VF小型肖特基勢壘二極管“RBE系列”。

本產(chǎn)品已經(jīng)以月產(chǎn)500萬個(gè)的規(guī)模開始量產(chǎn)，隨著客戶采用的增加，從2012年9月份開始將產(chǎn)能擴(kuò)充為每月1000萬個(gè)。

此次，產(chǎn)品陣容中新增了更加小型的VML2封裝（1.0×0.6mm）。通過這些產(chǎn)品，將非常有助于便攜設(shè)備節(jié)省空間。

生產(chǎn)基地位于ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰國）、ROHM Electronics Philippines, Inc.（菲律賓）、ROHM Semiconductor (China) Co., Ltd.（天津）、ROHM Semiconductor Korea Corporation（韓國）、ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.(馬來西亞)。

近年來，智能手機(jī)等便攜設(shè)備的多功能化日益加速，對電池的長時(shí)間驅(qū)動(dòng)需求強(qiáng)勁。降低耗電量成為首要課題，電源電路日趨向低電壓、大電流化方向發(fā)展。為此，電源電路中采用的肖特基勢壘二極管需要低VF且平均整流電流較高的產(chǎn)品。但是，為了降低VF并且實(shí)現(xiàn)大電流化，需要增加芯片尺寸，因此很難滿足對“小型”的需求。

此次羅姆通過優(yōu)化二極管的元件結(jié)構(gòu)，大幅改善了電流效率。與以往的相同封裝產(chǎn)品相比，VF降低了約32％，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級的低VF。由此，可以大幅抑制施加正向電流所產(chǎn)生的發(fā)熱，相同封裝也可確保大電流。

另外，由于確保了大電流，可以實(shí)現(xiàn)比以往封裝產(chǎn)品更加小型封裝的設(shè)計(jì)（在相同額定電流下相比），最大安裝面積消減了約80％。

羅姆今后會(huì)不斷追求更加小型、低VF、大電流化，不斷完善滿足客戶需求的產(chǎn)品陣容。

＜特點(diǎn)＞

1）  小型封裝，確保大電流

業(yè)界頂級的低VF，以小型封裝可確保大電流。

2）  最大可節(jié)約80％的空間

確保大電流，可實(shí)現(xiàn)相同尺寸更加小型封裝的設(shè)計(jì)。

＜智能手機(jī)電路例＞

＜規(guī)格＞

＜術(shù)語解說＞

・VF ( Forward Voltage)

正向電流經(jīng)過時(shí)二極管產(chǎn)生的電壓值。數(shù)值越小功耗越少。

・平均整流電流（Io）

指定條件下，正向流動(dòng)所得到的最大平均電流