IR推出車用功率MOSFET
2012-06-19 19:54:03 本站原創在N和P通道配置中，該新型55V平面器件可作為標準和邏輯電平柵極驅動MOSFET來使用，提供的最大導通電阻 (Rds(on)) 低達8mΩ。TO-220 fullpak封裝無需額外的絕緣硬件，所以能夠簡化設計和提高整體系統可靠性。
IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“新MOSFET系列基于IR已被驗證的平面技術，采用TO-220 fullpak封裝，在線性模式和汽車應用中都表現良好，這其中需要堅固耐用且可靠的MOSFET來驅動高電感負載。”
所有IR車用MOSFET產品都遵循IR要求零缺陷的汽車質量理念，并經過了動態和靜態器件平均測試及100%自動晶圓級目視檢查。AEC-Q101標準要求器件在經過1,000次溫度循環測試后，導通電阻變化幅度不能超過20%。然而，經過延長測試后，IR的新AU物料單在5,000次溫度循環時的最大導通電阻變化低于10%，體現了該物料單的高強度和耐用性。
新器件符合AEC-Q101標準，所采用的材料環保、不含鉛，也符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS)。
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