瑞薩電子推出推出八款低功耗MOSFET
2012-04-21 11:51:25 本站原創(chuàng)P通道和N通道功率MOSFET的主要特性:
(1) 業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻 (N通道,µPA2600和µPA2601)
µPA2600和µPA2601 MOSFET采用的是2 mm × 2 mm超緊湊型封裝,20 V (VDSS) µPA2600 器件實現(xiàn)了9.3 mΩ (在VGSS=4.5 V的典型值)的導(dǎo)通電阻,30 V µPA2601器件實現(xiàn)了10.5 mΩ (在VGSS=10 V下的典型值) 的導(dǎo)通電阻,從而達到了終端產(chǎn)品的節(jié)能目的。
(2) 可以降低安裝區(qū)域的超小型封裝
瑞薩電子通過將大面積的高性能芯片置于超小型的封裝,并通過采用裸露的散熱型小封裝,實現(xiàn)了超緊湊型2 mm × 2 mm封裝的應(yīng)用,有效降低了從封裝傳到安裝板的熱量。與現(xiàn)有的3 mm × 2 mm封裝相比,µPA2600和類似產(chǎn)品可以減少大約30%的安裝面積,而與現(xiàn)有3 mm × 3 mm封裝相比較,µPA2672和類似產(chǎn)品可以減少大約40%的安裝面積。這將有助于降低終端應(yīng)用產(chǎn)品的尺寸和重量。
(3) 器件的擴展陣列
8個在產(chǎn)品中,新的P通道和N通道功率MOSFET集中在12至30V,用于常見的便攜設(shè)備:4個P通道產(chǎn)品包括µPA2630,3個n通道產(chǎn)品包括µPA2600,還有µPA2690,此產(chǎn)品將N通道和P通道器件全部集成在一個單獨的封裝中。因此,這一系列可以支持多樣化的應(yīng)用,包括充電/放電控制,RF功率放大器開/關(guān)控制和過流切斷開關(guān)。
新款功率MOSFET產(chǎn)品為環(huán)保型產(chǎn)品,符合RoHS指令(注1)和無鹵要求。
在便攜式電子產(chǎn)品領(lǐng)域,設(shè)備的多功能性在不斷提高,而由于像智能手機這類設(shè)備的外形尺寸不斷趨向薄型化,因此元件可用的安裝空間也在日益變得更有限。為了滿足對于小型化和更高性能的要求,瑞薩將持續(xù)開發(fā)新產(chǎn)品,它們將保持之前產(chǎn)品的性能水平,但能滿足更小安裝空間的要求,同時擴展其系列,從而有助于進一步實現(xiàn)便攜設(shè)備的小型化和更高性能。
(注1)歐盟RoHS指令:歐洲議會的2002/95/EC指令和歐盟委員會在2003年1月27日關(guān)于即在電子電氣設(shè)備中限制使用某些有害物質(zhì)指令。
定價和供貨情況
瑞薩電子新型µPA2600和µPA2601功率MOSFET的樣品將于2012年4月推出,定價為每片0.4美元。量產(chǎn)計劃于2012年5月開始,到FY2013的上半年所有八個產(chǎn)品每月的總共產(chǎn)量將達到3,000,000件。
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