羅姆推出超低導通電阻的高耐壓功率MOSFET R5050DNZ0C9
2012-03-01 20:13:09 本站原創本產品采用散熱性卓越的TO247PLUS封裝，于2011年9月中旬開始提供樣品（樣品價格：1000日元/個），并已于2011年12月份開始投入量產。
隨著節能趨勢漸行漸強，作為可再生能源的代表，太陽能發電市場規模不斷擴大。其功率調節器領域，正在努力通過電源轉換效率的改善實現節電，因此對實現更低損耗的功率MOSFET的需求不斷高漲。羅姆此前也一直利用多層外延生長方式，為客戶提供多層縱向pn結的超結結構的功率MOSFET，持續為高效化作出了貢獻。但是，由于這種方式的制造工序復雜，因此具有難于微細化和提高生產性能的課題。
此次，羅姆采用縱向p層一次成型的Si深蝕刻技術，通過微細化及雜質濃度的優化，與傳統產品相比，將導通電阻成功降低了約47％。此產品不僅非常適合低導通電阻容易體現出來的轉換器部分，而且與羅姆制造的快速恢復二極管或SiC肖特基勢壘二極管等相組合，還可應用于逆變器。由于可以大幅降低電源轉換時的損耗，因此將會大大有助于提高太陽能發電的效率。另外，為了適用于更多種類的電路方式，羅姆在采用本技術進一步完善高耐壓產品線的同時，還將不斷擴充“PrestoMOS™”系列。
羅姆今后也會繼續利用獨創的先進工藝加工技術，不斷推進滿足顧客需求的前瞻性晶體管產品的開發。
＜高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”的主要特點＞
１） 業內頂級的低導通電阻
２） 具有卓越散熱性能的TO247PLUS封裝
＜利用了Si深蝕刻技術的超結結構＞
采用縱向p層一次成型的Si深蝕刻技術。
不僅可簡化工序，而且適合微細化。
＜導通電阻降低47％＞ ※以傳統產品為“1”為例
