飛兆半導體推出單一P溝道PowerTrench® MOSFET FDMA905P和FDME905PT
2012-02-24 21:45:31 本站原創FDMA905P和FDME905PT是具有低導通阻抗的MOSFET，這些器件具有出色的散熱性能和小占位尺寸，也非常適合線性模式應用。
特性和優勢
FDMA905P:
• 采用2mm x 2mm MicroFET™ 封裝，器件高度 – 最大0.8mm
• 確保低RDS(ON) (MAX RDS(ON) = 16mΩ at VGS = -4.5V, ID = -10A)
• 具有出色的散熱性能(RΘJA = 52 ℃/W)
FDME905PT:
• 采用1.6mm x 1.6mm 薄型MicroFET封裝，器件高度 – 最大0.55mm
• 確保低 RDS(ON) (MAX RDS(ON) = 22mΩ at VGS = -4.5V, ID = -8A)
• 具有出色的散熱性能(RΘJA = 60 ℃/W)
FDMA905P和FDME905PT不含鹵化物和氧化銻，滿足RoHS標準的要求。兩款器件均可在低電壓下安全運作，適用于手機和超便攜設備。
價格：訂購1,000個
FDMA905P 每個0.29美元
FDME905PT 每個0.26美元
供貨: 按請求提供樣品
交貨期: 收到訂單后8至12周內
EETOP 官方微信
創芯大講堂 在線教育
半導體創芯網 快訊
相關文章
