Vishay發(fā)布采用獨特SurfLight表面發(fā)射器技術的新款850nm紅外發(fā)射器
2011-11-10 10:51:01 本站原創(chuàng)器件具有1A的高驅動電流和170mW/sr的高發(fā)光強度，采用Little Star®封裝，占位為6.0mm x 7.0mm x1.5mm，熱阻系數低至10K/W
賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 11 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款采用該公司的SurfLight表面發(fā)射器技術制造的850nm紅外(IR)發(fā)射器--- VSMY7852X01和VSMY7850X01，擴大其光電子產品組合。VSMY7852X01和VSMY7850X01采用高功率Little Star®封裝，占位為6.0mm x 7.0mm x1.5mm，具有超群的高驅動電流、發(fā)光強度和光功率，同時具有低熱阻系數。
VSMY7850X01發(fā)射器包含一個42mil芯片，驅動電流達1A，脈沖電流可達5A，VSMY7852X01包含一個20mil芯片，驅動電流達250mA，脈沖電流達1.5A。由于VSMY7850X01和VSMY7852X01的熱阻系數只有10K/W和15K/W，兩款器件幾乎在-40℃～+100℃的整個工作溫度范圍內都能采用最大電流。
Vishay的SurfLight表面發(fā)射器技術使用一種獨特的硅片結構，在這個結構中所有從半導體內產生的光都從芯片的頂表面發(fā)射出來，從而使VSMY7850X01在1A電流下的發(fā)光強度高達170mW/sr，光功率高達520mW，正向壓降只有2V；SMY7852X01在250mA電流下的發(fā)光強度高達42mW/sr，光功率高達130mW，正向壓降只有1.8V。今天發(fā)布的兩款器件通過了AEC-Q101
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