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瑞薩電子株式會社正式宣布：推出包括NP74N04YUG、NP75N04YUG和NP75P03YDG等在內(nèi)的7款功率MOSFET（金屬氧化物 半導體場效應晶體管）產(chǎn)品。新產(chǎn)品主要面向汽車電子控制單元（如引擎控制單元和泵電機控制單元）的應用，采用了8引腳HSON封裝，在實現(xiàn)封裝尺寸小于原 有TO-252產(chǎn)品約一半的同時，還可實現(xiàn)高達75A的電流。

作為半導體元件的MOSFET，由3個端子——柵極、漏極和源極組成，用于開 關元件，可以通過向柵極發(fā)出信號來控制漏極和源極之間的導通。而功率MOSFET，則是用于處理幾十安培或更高電流的產(chǎn)品。由于功率MOSFET用于實現(xiàn) 大電流開關，因此降低元件產(chǎn)生的熱量就變得尤為重要。為了解決這個問題，原來的功率MOSFET在設計上選擇了具有出色散熱特性的大封裝。然而，隨著用于 汽車使用的電子控制單元數(shù)量的逐年增加，電子元件也逐步朝著外形更小巧、功能更強大的方向發(fā)展。這種趨勢引發(fā)了對更小巧的功率MOSFET的需求。

此 次瑞薩電子推出的新款功率MOSFET產(chǎn)品正是為了滿足上述需求。它們采用全新開發(fā)、適于汽車電子系統(tǒng)的8引腳HSON封裝，同時保持了與早期 MOSFET產(chǎn)品相同的性能。

新產(chǎn)品包括額定電壓為40V和60V的N-溝道MOSFET與額定電壓為-30V的P-溝道MOSFET，可 以用作各類線圈、電機和電池反向保護裝置的開關等。其主要特性如下：

(1) 封裝尺寸小，約為現(xiàn)有產(chǎn)品（TO-252）的一半
新款 產(chǎn)品所使用的全新8引腳HSON封裝，其表面積為TO-252封裝的一半。除了尺寸小以外，NP75N04YUG還能夠保證實現(xiàn)1.09°C/W的溝道- 外殼熱阻（注釋1）。這就意味著，在外殼溫度固定在25°C的情況下，它可以處理138W的最高連續(xù)功率。因此，可以說其性能與采用TO-252封裝的產(chǎn) 品一樣高。而其小于原有產(chǎn)品約一半的尺寸，則有助于設計出更小的汽車控制單元。

(2) 處理高達75A的大電流
新款產(chǎn)品在芯片和引 腳之間采用了在汽車應用領域具有出色記錄的鋁互連線。同時，多引線連接的設計也有助于改善大電流特性。因此，NP74N04YUG、NP75N04YUG 和NP75P03YDG這3款產(chǎn)品的功率MOSFET均可保證處理75A的連續(xù)電流。

(3) 在高達175°C的溝道溫度下仍能保持其高性 能
新款功率MOSFET產(chǎn)品在175°C的溫度下通過了1,000小時耐久性試驗，符合AEC-Q101標準對汽車應用可靠性的要求。這就意味著 這些MOSFET產(chǎn)品適于在高溫環(huán)境下使用，如發(fā)動機艙等。

瑞薩電子相信，新款功率MOSFET產(chǎn)品會實現(xiàn)更小巧的汽車控制單元，使得系統(tǒng) 設計者能夠有效利用汽車內(nèi)的有限空間，并能為其增添更為高級的功能。

注釋1.溝道-外殼熱阻:這是一個用以說明熱量從溝道（芯片上發(fā)熱部 分）中散出的難易程度的指數(shù)。 數(shù)值越小越好。