采用芯片級MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
2010-04-28 18:40:04 本站原創日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內，這款20V器件提供業內P溝道MOSFET最低的導通電阻。
新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P溝道技術的首款芯片級產品。這種最先進的技術能夠實現超精細、亞微米的節距工藝，將業內P溝道MOSFET所能實現的最低導通電阻減小了一半：在4.5V、2.5V、2V和1.8V電壓下的導通電阻分別為32 mΩ、46mΩ、65mΩ和120mΩ。
Si8499DB采用第三代TrenchFET P溝道技術，器件的芯片級封裝具有最大的裸片與占位比，在非常緊湊的器件內提供了超低導通電阻。MICRO FOOT封裝所需的PCB面積只有TSOP-6的1/6，而導通電阻則很相近，從而為其他產品功能騰出空間，或是使終端產品變得更小。
MOSFE的低導通電阻意味著負載、充電器和
MOSFET符合IEC 61249-2-21的無鹵素規范，符合RoHS指令2002/95/EC。
Si8499DB TrenchFET功率MOSFET現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十六周。
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