高隔離度SPDT開關 GaAs MMIC NJG1666MD7 （新日本無線）
2010-02-03 16:07:28 本站原創新日本無線現開發完成了最適合于TV調諧器等信號分離的高隔離度SPDT開關GaAs MMIC NJG1666MD7，并已開始供貨了。
近年來，隨著裝載有FM和1seg等多數調諧器的設備的增加，市場需求用于分離接收信號的具有高隔離度的SPDT開關。為了適應市場的要求，新日本無線開發了最適合于信號分離的SPDT開關系列產品。要求更高隔離度的STB※和TV調諧器等設備把已有的SPDT開關多段連接使用或使用分立電路。NJG1666MD7是實現了使要求高隔離度特性的設備更加容易把信號分離而開發的SPDT開關。
特征1 同時實現了高隔離度和低插入損耗
完成了高隔離度的電路設計和減少了IC芯片、封裝內的寄生電容，從而實現了高隔離度(70dB@250MHz, 60dB@2.2GHz)的特性，并且實現了很難同時共存的低插入損耗(0.50dB typ.@f=2200MHz)。
特征2 采用了小型、超薄型封裝
NJG1666MD7采用了小型、超薄型封裝EQFN14-D7(1.6x1.6x0.397mm typ.)，實現了比以往產品(NJG1512HD3：2.0×1.8×0.8mm)28%面積的節減，使安裝基板節省了空間并可小型化。
特征3 實現了高ESD(Electrostatic Discharge)耐壓
內置有保護器件，從而實現了在MM(Machine Model)機器放電模式上可200V以上和在HBM(Human Body Model)人體放電模式上可3000V以上的高ESD(Electrostatic Discharge)耐圧。
應用
・STB
・TV調諧器
產品性能
・低工作電壓 VDD =+2.0～+4.5V
・低切換電壓 VCTL(H) =+1.3V min
・低消耗電流 30μA typ.
・高隔離度 70dB typ. @f=250MHz
60dB typ. @f=1000MHz
60dB typ. @f=2200MHz
・低插入損耗 0.40dB typ. @f=250MHz
0.45dB typ. @f=1000MHz
0.50dB typ. @f=2200MHz
・高ESD耐壓 內置有ESD保護電路
・無鉛無鹵化物
・小型、超薄型封裝 EQFN14-D7 (封裝尺寸: 1.6x1.6x0.397mm typ.)
生產計劃／參考價格
・樣品的供貨： 已經從2009年12月開始了
・生產 ： 預定從2010年1月開始，每月生產30萬個
・參考價格 ： 單價100日元以上
