一家美國創業公司開發出一種更緊湊更快的內存芯片,向DRAM和Flash芯片發起了挑戰。新的內存芯片被稱為交叉內存(crossbar memory),由Crossbar
臺積電與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)的28奈米制程戰火將擴大延燒。中國大陸IC設計業者為搶進行動裝置市場,紛紛投入28奈米晶片開發。瞄準此一商
TSMC公司于日前公布了今年二季度的財報,通過這份財報我們可以看到,TSMC公司40nm和28nm兩項技術的營收已經占據了其總收入的50%。TSMC公司表示
Intel今天確認,位于美國俄勒岡州的Fab 1DX二期工程已經破土動工,這也是全球第一座將會用來生產450毫米大尺寸晶圓的工廠(目前主流300毫米)。
聯電將跳過20納米(nm)制程節點,全力卡位14納米鰭式電晶體(FinFET)市場。由于20納米研發所費不貲,加上市場需求仍不明朗,因此聯電已計劃在量
Hurel公司一直專注于在體外利用3D培養技術制造“芯片上的器官”,以模擬和預測肝臟和其它器官在體外的功能。上個月,CSO Reinnervate公司宣布
可程序邏輯閘陣列(FPGA)廠商賽靈思(Xilinx)近日宣布,已經開始在臺積電投片業界首款20納米可編程邏輯元件(PLD),以及業界首款20納米全編程(All
美國飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor),全球領先的高性能功率和移動半導體解決方案供應商,在韓國富川市正式開啟八英寸晶圓制造線。
@2003 - 2025 EETOP
京ICP備 15035084號 京公網安備 11010502037710