東芝推出采用TOLL封裝的第3代650V SiC MOSFET
2025-08-28 10:12:54 EETOP東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關電源、光伏發電機功率調節器等工業設備。三款器件于今日開始支持批量出貨。
三款新產品是東芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面貼裝TOLL封裝，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封裝相比，可將器件體積銳減80%以上，并提升設備功率密度。
此外，TOLL封裝還具有比通孔封裝更小的寄生阻抗[2]，從而降低開關損耗。作為一款4引腳[3]封裝，支持對其柵極驅動的信號源端子進行開爾文連接。這減少封裝內部源極線電感的影響，實現高速開關性能；在TW048U65C的外殼中，與東芝現有產品[5]相比，其開通損耗降低約55%，關斷損耗降低約25%[4]，有助于降低設備功耗。
未來東芝將繼續擴大其SiC功率器件產品線，為提高設備效率和增加功率容量做出貢獻。
第3代SiC MOSFET封裝產品線
類型 | 封裝 |
通孔類 | TO-247 |
TO-247-4L | |
表面貼裝類 | DFN8×8 |
TOLL |
測量條件：VDD＝400V、VGS＝18V/0V、ID＝20A、Ta＝25°C、L＝100μH、Rg（外部柵極電阻）＝4.7Ω
續流二極管采用各產品源極及漏極間的二極管。（東芝截至2025年8月的比較）
圖1：TO-247與TOLL封裝的導通損耗（Eon）和關斷損耗（Eoff）比較
? 應用：
- 服務器、數據中心、通信設備等中的開關電源
- 電動汽車充電站
- 光伏逆變器
- 不間斷電源
? 特性：
- 表面貼裝TOLL封裝，實現設備小型化和自動化組裝，低開關損耗
- 東芝第3代SiC MOSFET
· 通過優化漂移電阻與溝道電阻比，實現漏源導通電阻的良好溫度依賴性
· 低漏源導通電阻×柵漏電荷
· 低二極管正向電壓：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V）
? 主要規格：
（除非另有說明，Ta＝25°C）
器件型號 | TW027U65C | TW048U65C | TW083U65C | ||||
封裝 | 名稱 | TOLL | |||||
尺寸（mm） | 典型值 | 9.9×11.68×2.3 | |||||
絕對最大額定值 | 漏極-源極電壓VDSS（V） | 650 | |||||
柵極-源極電壓VGSS（V） | –10至25 | ||||||
漏極電流（DC）ID（A） | Tc＝25°C | 57 | 39 | 28 | |||
電氣特性 | 漏極-源極導通電阻RDS(ON)（mΩ） | VGS＝18V | 典型值 | 27 | 48 | 83 | |
柵極閾值電壓Vth（V） | VDS＝10V | 3.0至5.0 | |||||
總柵極電荷Qg（nC） | VGS＝18V | 典型值 | 65 | 41 | 28 | ||
柵極-漏極電荷Qgd（nC） | VGS＝18V | 典型值 | 10 | 6.2 | 3.9 | ||
輸入電容Ciss（pF） | VDS＝400V | 典型值 | 2288 | 1362 | 873 | ||
二極管正向電壓VDSF（V） | VGS＝–5V | 典型值 | –1.35 | ||||
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注：
[1] 截至2025年8月。
[2] 電阻、電感等。
[3] 一種信號源終端靠近FET芯片連接的產品。
[4] 截至2025年8月，東芝測量的值。請參考圖1。
[5] 采用TO-247封裝且無開爾文連接的、具有同等電壓和導通電阻的第3代650V SiC MOSFET
