三星新旗艦Exynos 2600 將搭載HPB散熱技術
2025-07-30 11:13:24 EETOPExynos 2600 目前處于原型生產階段，三星正借助其 2 納米全環繞柵極（GAA）工藝，為這款即將登場的旗艦級系統級芯片（SoC）實現性能與能效的新躍升。不過，考慮到過往產品即便在智能手機中配備均熱板散熱，仍難逃持續過熱的困擾，有報道稱，這家韓國廠商將引入一項名為 “熱傳遞阻斷”（Heat Pass Block，簡稱 HPB）的技術來優化散熱，確保 Exynos 2600 能穩定發揮最佳性能。
本質上，HPB 將充當 Exynos 2600 的散熱器，通過改善散熱表現，讓這款 SoC 能在更長時間內維持最高主頻運行。
三星 Exynos 系列現有芯片采用的是 DRAM 直接疊置于 SoC 之上的結構。不過據ETNews消息，在 Exynos 2600 上，HPB 與 DRAM 將共同直接搭載于芯片之上，其中新增的 HPB 將扮演散熱器角色，加速熱量傳導。此外，三星據稱還將在 HPB 模塊上方采用扇出型晶圓級封裝（FOWLP）技術，以提升耐熱性并增強多核性能。
這項封裝技術首次應用于 Exynos 2400，三星希望將其沿用至 Exynos 2600，確保該芯片能與即將推出的驍龍 8 Elite Gen 2 和天璣 9500 保持一定競爭力。近期 Geekbench 6 的跑分數據泄露顯示，Exynos 2600 的最高主頻核心運行在 3.55GHz，這一頻率低于天璣 9400 + 搭載的 Cortex-X925 核心。
HPB 與 FOWLP 技術的加入，理論上可助力 Exynos 2600 實現更高頻率，從而在維持溫度穩定的同時，提升單核與多核性能。眾所周知，溫度過高會引發性能降頻，這不僅會讓設備握持時體感不適，還可能加重電池負擔，甚至存在爆炸風險，淪為一顆 “定時炸彈”。
若三星的 2 納米全環繞柵極工藝能達到理想良率，Exynos 2600 有望于今年年底發布，恰好能趕在該公司 2026 年初發布 Galaxy S26 系列之前。
