用DUV制造5納米芯片？浸潤式光刻之父林本堅：可行！
2023-11-28 12:04:25 EETOP根據(jù)最新報道，臺積電前副總裁、被稱為浸潤式光刻之父的林本堅（Burn J. Lin）認為，在現(xiàn)有DUV 設(shè)備制造不僅能制造7納米，甚至5 納米芯片也是可行的，不過將非常昂貴。
據(jù)悉，華為為2024 年開發(fā)P70、P70 和P70 Art，有望成為明年第一波旗艦手機，但還不確定會搭配哪些芯片組。林本堅表示，在DUV 設(shè)備上從7 納米芯片轉(zhuǎn)向5 納米芯片是可行的，但將付出較大的代價。用現(xiàn)有DUV 光刻機若要量產(chǎn)5 納米SoC，至少需要四倍圖案化（ patterning ），過程需要多重曝光和多重蝕刻。
這種制程缺點不僅耗時長，成本也高，并影響產(chǎn)量。林本堅解釋，因為設(shè)備一次可以曝光250 片，兩次曝光頂多125 片，蝕刻也更花流程，因此 DUV 光刻機要進入5 納米制程，不只花時間也花錢。也因此，這可能意味著華為明年P(guān)70 系列可能沒有足夠的5 納米麒麟芯片供應(yīng)。目前荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠ASML 已被禁止向中芯國際等中國實體提供突破7 納米門檻所需的設(shè)備。
林本堅也點出另一個挑戰(zhàn)是，即使用DUV 設(shè)備需要在多次曝光過程中進行精確對準，可能需要時間，并可能產(chǎn)生錯位，「稍微不準就會吃虧，不管良率、制程就會吃虧」。他表示，浸潤式（ immersive）DUV 技術(shù)可以實現(xiàn)五、六倍圖案化，但重點是要付出多少代價，如時間代價、成本代價、對不準的代價。
林本堅表示，其實EUV 設(shè)備也是如此，當設(shè)備達到極限的時候，看要曝光幾次、蝕刻幾次，都應(yīng)該被考慮進去，這也是被半導(dǎo)體業(yè)認為「微縮的路」，微縮就是很花錢，在達到摩爾定律、物理極限前，會先面臨成本的極限。
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