用DUV制造5納米芯片？浸潤式光刻之父林本堅：可行！
2023-11-28 12:04:25 EETOP根據最新報道，臺積電前副總裁、被稱為浸潤式光刻之父的林本堅（Burn J. Lin）認為，在現有DUV 設備制造不僅能制造7納米，甚至5 納米芯片也是可行的，不過將非常昂貴。
據悉，華為為2024 年開發P70、P70 和P70 Art，有望成為明年第一波旗艦手機，但還不確定會搭配哪些芯片組。林本堅表示，在DUV 設備上從7 納米芯片轉向5 納米芯片是可行的，但將付出較大的代價。用現有DUV 光刻機若要量產5 納米SoC，至少需要四倍圖案化（ patterning ），過程需要多重曝光和多重蝕刻。
這種制程缺點不僅耗時長，成本也高，并影響產量。林本堅解釋，因為設備一次可以曝光250 片，兩次曝光頂多125 片，蝕刻也更花流程，因此 DUV 光刻機要進入5 納米制程，不只花時間也花錢。也因此，這可能意味著華為明年P70 系列可能沒有足夠的5 納米麒麟芯片供應。目前荷蘭半導體設備大廠ASML 已被禁止向中芯國際等中國實體提供突破7 納米門檻所需的設備。
林本堅也點出另一個挑戰是，即使用DUV 設備需要在多次曝光過程中進行精確對準，可能需要時間，并可能產生錯位，「稍微不準就會吃虧，不管良率、制程就會吃虧」。他表示，浸潤式（ immersive）DUV 技術可以實現五、六倍圖案化，但重點是要付出多少代價，如時間代價、成本代價、對不準的代價。
林本堅表示，其實EUV 設備也是如此，當設備達到極限的時候，看要曝光幾次、蝕刻幾次，都應該被考慮進去，這也是被半導體業認為「微縮的路」，微縮就是很花錢，在達到摩爾定律、物理極限前，會先面臨成本的極限。
