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晶圓代工龍頭臺(tái)積電位于南科的3 納米新廠于去年11 月底上梁，締造另一個(gè)先進(jìn)制程里程碑。設(shè)備供應(yīng)鏈近日透露，臺(tái)積電3 納米新廠規(guī)劃在今年7~8 月開(kāi)廠，相關(guān)供應(yīng)商須在今年中以前備妥機(jī)臺(tái)、準(zhǔn)備進(jìn)機(jī)，供應(yīng)鏈透露，3 納米于試產(chǎn)階段（2021 下半年）即有約一個(gè)月2 萬(wàn)至3 萬(wàn)片，量產(chǎn)首年平均月產(chǎn)能約5.5 萬(wàn)片，到了2023 年以后，將達(dá)到10.5 萬(wàn)片。

根據(jù)臺(tái)積電先前表示，3 納米預(yù)計(jì)2022 下半年量產(chǎn)，當(dāng)年產(chǎn)能預(yù)估將超過(guò)60 萬(wàn)片12 吋晶圓。供應(yīng)鏈透露，目前3 納米準(zhǔn)備離開(kāi)RD 階段、進(jìn)入mini-line，一如往常，將由蘋果搶下頭香，臺(tái)積電也火力全開(kāi)大力支持。而AMD也有望隨后跟上，且英特爾也有合作方案在進(jìn)行。

供應(yīng)鏈亦透露，3 納米制程將依循7 納米（7 納米、7 納米加強(qiáng)版、6 納米）、5 納米（5 納米、5 納米加強(qiáng)版、4 納米）的「家族模式」，客戶在同一制程節(jié)點(diǎn)可沿用既有設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)，達(dá)到100% 的IP 兼容，可加速產(chǎn)品創(chuàng)新及上市速度。目前臺(tái)積電也在規(guī)劃2.5 納米（或稱3+）制程，推估2023下半年量產(chǎn)。

業(yè)界人士表示，3 納米對(duì)臺(tái)韓晶圓代工雙雄來(lái)說(shuō)是關(guān)鍵一役，兩強(qiáng)戰(zhàn)術(shù)大不相同。三星將直接采用GAA（環(huán)繞式閘極結(jié)構(gòu)），而臺(tái)積電3 納米則選擇沿用FINFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）架構(gòu)，到了2 納米才導(dǎo)入GAA技術(shù)為基礎(chǔ)的MBCFET 架構(gòu)，他認(rèn)為，在既有架構(gòu)上求突破，以減少制程變動(dòng)，相對(duì)具備成本效益。

他進(jìn)一步指出，3 納米雖然沿用FINFET，但技術(shù)層次、投資金額均較過(guò)去高出許多，挑戰(zhàn)也不小，因此臺(tái)積電在產(chǎn)能規(guī)劃也比5納米更為積極，除反映出大客戶需求旺盛外，也希望客戶可以在3 納米世代停留久一些，為下一代2 納米做好充足準(zhǔn)備。

臺(tái)積電即將于1 月14 日舉行法說(shuō)會(huì)，備受市場(chǎng)矚目，臺(tái)積電2020 年?duì)I收成長(zhǎng)30% 超標(biāo)已無(wú)懸念，可望賺進(jìn)兩個(gè)股本。展望2021 年，臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音先前于公開(kāi)活動(dòng)時(shí)即表示，目前沒(méi)看到砍單，并強(qiáng)調(diào)2021 上半年?duì)I運(yùn)表現(xiàn)會(huì)比往年好，法人預(yù)期，全線產(chǎn)能大開(kāi)熱況有望延續(xù)到下半年，全年業(yè)績(jī)有望持續(xù)攻高。