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采用GaSb和InAs打造的新型存儲器，可兼顧DRAM和NAND，有望卷動千億美元內存市場

2020-01-16 13:25:37 cnbeta

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多年來，存儲器制造商一直試圖在單個封裝中集成動態隨機存儲器（RAM）和閃存（NAND）的共同優勢，但一直收效甚微。新型非易失性存儲器，有望成為技術突破的一個關鍵。其具有類似于 RAM 的運行速度、以及 NAND 的斷電非易失特性。能夠瞬時打開、并從上次中斷的位置恢復，為即時（Instand-On）PC 的到來而鋪平道路。

經常關注存儲技術的朋友，可能或多或少地聽說過幾種可讓 RAM 和 SSD 運行更快、更密集、更節能的新技術。

另有一些研究試圖推動“內存中計算”的方法，從根本上消除了數據在處理器、內存等部件之間往返所導致的性能滯后。

上述想法都基于如下事實，即將數據寫入 DRAM，是一種快速且節能的方案。可一旦斷電，數據的完整性也難以維持。此外系統必須不斷刷新數據，導致效率不是很高。

另一方面，NAND 是一種相對健壯的數據存儲方式，只是寫入和擦除的速度太慢，導致存儲單元性能下降，難以取代現有的 DRAM 。

好消息是，英國蘭開斯特大學的研究人員稱，他們已經打造了一種新型的非易失性存儲器 —— 速度可與 DRAM 媲美，寫入能耗卻僅為百分之一。

這項技術被稱作 UK III-V 存儲器，其基于 20nm 光刻工藝制造，寫入時間僅為 5ns（與 DRAM 相當），且提供了類似閃存的簡單讀取特性。

更棒的是，這是一種非易失性存儲，能夠在斷電時保持數據的完整性。