唯一打破ASML光刻機雙工臺技術壟斷：華卓精科擬登陸科創板
2019-11-20 09:36:51 快科技比如在硅刻蝕機領域，北方華創實現了14nm設備的突破，同時也在去年實現了適用于8英寸晶圓的金屬刻蝕機的研發和生產。已經登錄科創板的中微半導體自主研發的5nm等離子體刻蝕機經臺積電驗證，性能優良，將用于全球首條5nm制程生產線。
但是在晶圓制造環節更為關鍵的光刻機領域，卻仍與國外有著巨大的差距。
目前荷蘭的ASML是全球最大的光刻機制造商，占據了全球光刻機市場（按銷售計）的近90%的市場份額，尤其是在高端的極紫外光(EUV)領域，ASML處于完全壟斷地位，其一臺EUV光刻機售價高達1億歐元，而EUV光刻機是實現5nm甚至是更為先進的制程工藝的關鍵。
近日，北京證監局披露了“北京華卓精科科技股份有限公司”（以下簡稱“華卓精科”）的第三期輔導工作報告，該公司擬登陸科創板。
根據華卓精科官網顯示，其生產的光刻機雙工件臺，打破了ASML公司在光刻機工件臺上的技術上的壟斷，成為世界上第二家掌握雙工件臺核心技術的公司。
雙工件臺：光刻機兩大核心技術之一
光刻機是制造大規模集成電路的核心裝備。為將設計圖形制作到硅片上，并在一顆芯片上集成數十億、甚至上百億的晶體管，光刻機需達到十幾納米甚至幾納米的更高的圖像分辨率。
光刻機性能的兩大核心部件：一個是EUV曝光系統，另一個是雙工件臺。
在EUV曝光系統方面，中國目前還比較落后，主要是中科院長春光機所在研究。2002年，就研制國內第一套EUV光刻原理裝置，實現了EUV光刻的原理性貫通。
2008年國家極大規模集成電路制造裝備及成套工藝科技重大專項將EUV光刻技術列為32-22nm裝備技術前瞻性研究 重要攻關任務。長春光機所作為牽頭單位承擔起了極紫外光刻關鍵技術研究項目研究工作。
歷經八年的艱苦奮戰，2017年，長春光機所的32nm線寬的EUV光刻曝光系統于通過了重大專項項目組專家的驗收。
雖然該EUV光刻曝光系統與國際先進水平仍有不小的差距，但是從國產化角度來看，可以說是一個重大突破。
光刻機另一大核心部件之一的工件臺，在高速運動下需達到2nm（相當于頭發絲直徑的三萬分之一）的運動精度，它的定位精度直接影響了 光刻出來的硅片的質量。
這也奠定了光刻機超精密工件臺技術在超精密機械制造與控制領域的最尖端地位，被稱為超精密技術皇冠上的明珠。
在2000年前，光刻設備只有一個工件臺，晶圓片的對準與蝕刻流程都在上面完成。
直到2001年，ASML推出了Twinscan雙工件臺系統，使得光刻機能在一個工件臺進行曝光晶圓片，同時在另外一個工作臺進行預對準工作，并在第一時間得到結果反饋，生產效率提高大約35%，精度提高10%以上。
隨近年來技術的持續改進，雙工件臺的效率得到了持續的提升。
有資料顯示，目前單工件臺的光刻機的生產速度只有可憐的每小時80片，而雙工件臺，它的生產速度則可以高達每小時270片~300片。
雖然，相比單工件臺系統來說，雙工件臺系統雖然僅是加一個工件臺，但技術難度卻不容小覷，對工件臺轉移速度和精度有非常高的要求。
此前僅有荷蘭ASML一家壟斷，直到2016年，才被中國打破。
打破ASML壟斷，國產雙工件臺系統誕生
2016年4月28日，由清華大學機械工程系朱煜教授擔任負責人的研發團隊歷經5年時間研發的光刻機雙工件臺系統樣機成功通過了國家科技重大專項“極大規模集成電路制造裝備及成套工藝”（簡稱02專項）實施管理辦公室的項目驗收。
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