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Vishay推出PowerPAK? 8x8L封裝60 V和80 V N溝道MOSFET，優異的RDS(ON) 導通電阻低至0.65 m?

2022-02-09 09:57:53 Vishay

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賓夕法尼亞、MALVERN — 2022年2月7日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款n溝道TrenchFET® MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業應用功率密度、能效和板級可靠性。為實現設計目標，60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具有超低導通電阻，工作溫度可達+175 °C以及高連續漏極電流。節省空間的PowerPAK® 8x8L封裝采用無引線鍵合鷗翼引線結構消除機械應力，有助于提高板級可靠性。

SiJH600E和SiJH800E超低導通電阻—10 V下典型值分別為0.65 mW和1.22 mW—比同代PowerPAK SO-8封裝器件分別降低54 %和52 %，從而減小了傳導功耗，實現節能的效果。

為提高功率密度，SiJH600E和SiJH800E連續漏極電流分別為373 A和288 A，封裝占位面積比D2PAK封裝減小60 %，高度降低57 %。為節省電路板空間，每款MOSFET還可以用來取代兩個并聯的PowerPAK SO-8器件。

器件規格表：

產品型號	VDS (V)	ID (A)	RDS(ON) @ 10 V (mW)	Rthjc (°C/W)
SiJH600E	60	373	0.65	0.36
SiJH800E	80	299	1.22	0.36

該Vishay Siliconix器件工作溫度可達+175 °C，性能穩定可靠，適用于電源、電機驅動控制、電池管理和電動工具等應用同步整流。器件采用無鉛 (Pb) 封裝、無鹵素、符合RoHS標準，經過100 % Rg和UIS測試。

封裝對比表:

封裝	長 (mm)	寬 (mm)	高 (mm)	尺寸 (長x寬mm2)
PowerPAK 8x8L	8.0	7.9	1.8	63.2
D2PAK (TO-263)	15.2	10	4.4	152

SiJH600E和SiJH800E現可提供樣品。產品供貨周期和數量的相關信息，請與Vishay或我們的經銷商聯系。

VISHAY簡介
Vishay 是全球最大的分立半導體和無源電子元件系列產品制造商之一，這些產品對于汽車、工業、計算、消費、通信、國防、航空航天和醫療市場的創新設計至關重要。服務于全球客戶，Vishay承載著科技基因——The DNA of tech.Ô。Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000 強企業”。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。

The DNA of tech.Ô是Vishay Intertechnology的商標。TrenchFET和PowerPAK是Siliconix公司的注冊商標。

關鍵詞： Vishay MOSFET 工業電子