東芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊，助力實(shí)現(xiàn)尺寸更小，效率更高的工業(yè)設(shè)備
2022-02-08 09:12:40
東芝
點(diǎn)擊關(guān)注->創(chuàng)芯網(wǎng)公眾號(hào)，后臺(tái)告知EETOP論壇用戶名，獎(jiǎng)勵(lì)200信元
中國(guó)上海，2022年1月27日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款全新碳化硅（SiC）MOSFET雙模塊---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者額定電壓為1200V，額定漏極電流為600A；后者額定電壓為1700V，額定漏極電流為400A。作為東芝首批具有上述額定電壓的產(chǎn)品，它們與之前發(fā)布的MG800FXF2YMS3共同組成了1200V、1700V和3300V器件產(chǎn)品線。
這兩種新模塊在安裝方式上兼容廣泛使用的硅（Si）IGBT模塊。兩種新模塊的低損耗特性滿足了工業(yè)設(shè)備對(duì)提高效率、減小尺寸的需求，例如用于軌道車輛的轉(zhuǎn)換器和逆變器以及可再生能源發(fā)電系統(tǒng)。
- 用于軌道車輛的逆變器和轉(zhuǎn)換器
- 可再生能源發(fā)電系統(tǒng)
- 電機(jī)控制設(shè)備
- 高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器
- 安裝方式兼容Si IGBT模塊
- 損耗低于Si IGBT模塊
MG600Q2YMS3
VDS(on)sense＝0.9V（典型值）@ID＝600A，Tch＝25℃
Eon＝25mJ（典型值），Eoff＝28mJ（典型值）@VDS＝600V，ID＝600A，Tch＝150℃
MG400V2YMS3
VDS(on)sense＝0.8V（典型值）@ID＝400A，Tch＝25℃
Eon＝28mJ（典型值），Eoff＝27mJ（典型值）@VDS＝900V，ID＝400A，Tch＝150℃
- 內(nèi)置NTC熱敏電阻
（除非另有說(shuō)明，@Tc＝25℃）
| 器件型號(hào) |
|
| MG600Q2YMS3 |
MG400V2YMS3 |
| 封裝 |
| |
2-153A1A |
| 絕對(duì)最大額定值 |
漏極-源極電壓VDSS（V） |
1200 |
1700 |
| 柵極-源極電壓VGSS（V） |
+25／-10 |
+25／-10 |
| 漏極電流（直流）ID（A） |
600 |
400 |
| 漏極電流（脈沖）IDP（A） |
1200 |
800 |
| 結(jié)溫Tch（℃） |
150 |
150 |
| 隔離電壓Visol（Vrms） |
4000 |
4000 |
| 電氣特性 |
漏極-源極導(dǎo)通電壓（感應(yīng)）
VDS(on)sense典型值（V） |
@VGS＝+20V，
Tch＝25℃ |
0.9
@ID＝600A |
0.8
@ID＝400A |
源極-漏極導(dǎo)通電壓（感應(yīng)）
VSD(on)sense典型值（V） |
@VGS＝+20V，
Tch＝25℃ |
0.8
@IS＝600A |
0.8
@IS＝400A |
源極-漏極關(guān)斷電壓（感應(yīng)）
VSD(off)sense典型值（V） |
@VGS＝-6V，
Tch＝25℃ |
1.6
@IS＝600A |
1.6
@IS＝400A |
開(kāi)通損耗
Eon典型值（mJ） |
@Tch＝150℃ |
25
@VDS＝600V，
ID＝600A |
28
@VDS＝900V，
ID＝400A |
關(guān)斷損耗
Eoff典型值（mJ） |
@Tch＝150℃ |
28
@VDS＝600V，
ID＝600A |
27
@VDS＝900V，
ID＝400A |
| 熱敏電阻特性 |
額定NTC電阻 R典型值（kΩ） |
5.0 |
5.0 |
| NTC B值 B典型值（K） |
@TNTC＝25℃-150℃ |
3375 |
3375 |
如需了解相關(guān)新產(chǎn)品的更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)以下網(wǎng)址：
MG600Q2YMS3
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/intelligent-power-ics/detail.MG600Q2YMS3.html
MG400V2YMS3
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/intelligent-power-ics/detail.MG400V2YMS3.html
如需了解東芝碳化硅功率器件的更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)以下網(wǎng)址：
碳化硅功率器件
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/sic-power-devices.html
*本文提及的公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能是其各自公司的商標(biāo)。
*本文檔中的產(chǎn)品價(jià)格和規(guī)格、服務(wù)內(nèi)容和聯(lián)系方式等信息，在公告之日仍為最新信息，但如有變更，恕不另行通知。
關(guān)于東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社是先進(jìn)的半導(dǎo)體和存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，公司累積了半個(gè)多世紀(jì)的經(jīng)驗(yàn)和創(chuàng)新，為客戶和合作伙伴提供分立半導(dǎo)體、系統(tǒng)LSI和HDD領(lǐng)域的杰出解決方案。
公司23,100名員工遍布世界各地，致力于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品價(jià)值的最大化，東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社十分注重與客戶的密切協(xié)作，旨在促進(jìn)價(jià)值共創(chuàng)，共同開(kāi)拓新市場(chǎng)，公司現(xiàn)已擁有超過(guò)7,110億日元（62億美元）的年銷售額，期待為世界各地的人們建設(shè)更美好的未來(lái)并做出貢獻(xiàn)。
如需了解有關(guān)東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社的更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)以下網(wǎng)址：https://toshiba-semicon-storage.com
關(guān)鍵詞：
東芝
碳化硅
工業(yè)電子
