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東芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊，助力實現尺寸更小，效率更高的工業設備

2022-02-08 09:12:40 東芝

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中國上海，2022年1月27日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款全新碳化硅（SiC）MOSFET雙模塊---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者額定電壓為1200V，額定漏極電流為600A；后者額定電壓為1700V，額定漏極電流為400A。作為東芝首批具有上述額定電壓的產品，它們與之前發布的MG800FXF2YMS3共同組成了1200V、1700V和3300V器件產品線。

這兩種新模塊在安裝方式上兼容廣泛使用的硅（Si）IGBT模塊。兩種新模塊的低損耗特性滿足了工業設備對提高效率、減小尺寸的需求，例如用于軌道車輛的轉換器和逆變器以及可再生能源發電系統。

應用：

-    用于軌道車輛的逆變器和轉換器
-    可再生能源發電系統
-    電機控制設備
-    高頻DC-DC轉換器

特性：

-    安裝方式兼容Si IGBT模塊
-    損耗低于Si IGBT模塊
MG600Q2YMS3
VDS(on)sense＝0.9V（典型值）@ID＝600A，Tch＝25℃
Eon＝25mJ（典型值），Eoff＝28mJ（典型值）@VDS＝600V，ID＝600A，Tch＝150℃
MG400V2YMS3
VDS(on)sense＝0.8V（典型值）@ID＝400A，Tch＝25℃
Eon＝28mJ（典型值），Eoff＝27mJ（典型值）@VDS＝900V，ID＝400A，Tch＝150℃
-    內置NTC熱敏電阻

主要規格：

（除非另有說明，@Tc＝25℃）

器件型號
MG600Q2YMS3	MG400V2YMS3
封裝
			2-153A1A
絕對最大額定值	漏極-源極電壓VDSS（V）		1200	1700
	柵極-源極電壓VGSS（V）		+25／-10	+25／-10
	漏極電流（直流）ID（A）		600	400
	漏極電流（脈沖）IDP（A）		1200	800
	結溫Tch（℃）		150	150
	隔離電壓Visol（Vrms）		4000	4000
電氣特性	漏極-源極導通電壓（感應） VDS(on)sense典型值（V）	@VGS＝+20V， Tch＝25℃	0.9 @ID＝600A	0.8 @ID＝400A
	源極-漏極導通電壓（感應） VSD(on)sense典型值（V）	@VGS＝+20V， Tch＝25℃	0.8 @IS＝600A	0.8 @IS＝400A
	源極-漏極關斷電壓（感應） VSD(off)sense典型值（V）	@VGS＝-6V， Tch＝25℃	1.6 @IS＝600A	1.6 @IS＝400A
	開通損耗 Eon典型值（mJ）	@Tch＝150℃	25 @VDS＝600V， ID＝600A	28 @VDS＝900V， ID＝400A
	關斷損耗 Eoff典型值（mJ）	@Tch＝150℃	28 @VDS＝600V， ID＝600A	27 @VDS＝900V， ID＝400A
熱敏電阻特性	額定NTC電阻 R典型值（kΩ）		5.0	5.0
熱敏電阻特性	NTC B值 B典型值（K）	@TNTC＝25℃-150℃	3375	3375

如需了解相關新產品的更多信息，請訪問以下網址：
MG600Q2YMS3
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/intelligent-power-ics/detail.MG600Q2YMS3.html

MG400V2YMS3
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/intelligent-power-ics/detail.MG400V2YMS3.html

如需了解東芝碳化硅功率器件的更多信息，請訪問以下網址：
碳化硅功率器件
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/sic-power-devices.html

*本文提及的公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
*本文檔中的產品價格和規格、服務內容和聯系方式等信息，在公告之日仍為最新信息，但如有變更，恕不另行通知。

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關鍵詞：東芝碳化硅工業電子