2021年12月8日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，發(fā)布新的600 V SUPERFETÒ V MOSFET系列。這些高性能器件使電源能滿足嚴苛的能效規(guī)定，如80 PLUS Titanium，尤其是在極具挑戰(zhàn)性的10%負載條件下。600 V SUPERFET系列下的三個產品組--FAST、Easy Drive和FRFET經過優(yōu)化，可在各種不同的應用和拓撲結構中提供領先同類的性能。
600 V SUPERFET V系列提供出色的開關特性和較低的門極噪聲，從而降低電磁干擾（EMI），這對服務器和電信系統(tǒng)是個顯著的好處。此外，強固的體二極管和較高的VGSS（DC ±30 V）增強了系統(tǒng)可靠性。
安森美先進電源分部高級副總裁兼總經理Asif Jakwani說：“80 Plus Titanium認證以應對氣候變化為目標，要求服務器和數據存儲硬件在10%負載條件下的電源能效水平達90%，在處理50%負載時的能效達96%。我們的SUPERFET V系列的FAST、Easy Drive和FRFET版本正在滿足這些要求，提供強固的方案，確保持續(xù)的系統(tǒng)可靠性。”
FAST版本在硬開關拓撲結構（如高端PFC）中提供極高能效，并經過優(yōu)化以提供更低的門極電荷（Qg）和EOSS損耗，實現(xiàn)快速開關。該版本的最初器件包括NTNL041N60S5H（41 mΩ RDS(on)）和NTHL185N60S5H（185 mΩ RDS(on)），都采用TO-247封裝。NTP185N60S5H則采用TO-220封裝，NTMT185N60S5H采用8.0mm x 8.0mm x 1.0mm的Power88封裝，保證達到濕度敏感等級MSL 1，并具有開爾文(Kelvin)源架構以改善門極噪聲和開關損耗。
