東芝面向中大電流IGBT／MOSFET 推出內置保護功能的光耦
2020-03-11 15:22:54 東芝
| 器件型號 | TLP5231 | |
| 絕對最大額定值 | 峰值高電平輸出電流IOPH（A） | -2.5 |
| 峰值低電平輸出電流IOPL（A） | +2.5 | |
| 電氣特性 | VOUTP高電平輸出電流IOUTPH最大值（A） | -1.0 |
| VOUTP低電平輸出電流IOUTPL最小值（A） | 1.0 | |
| VOUTN高電平輸出電流IOUTNH最大值（A） | -1.0 | |
| VOUTN低電平輸出電流IOUTNL最小值（A） | 1.0 | |
| 高電平供電電流（VCC2）ICC2H最大值（mA） | 10.2 | |
| 低電平供電電流（VCC2）ICC2L最大值（mA） | 10.2 | |
| 高電平供電電流（VEE）IEEH最小值（mA） | -9.2 | |
| 低電平供電電流（VEE）IEEL最小值（mA） | -9.2 | |
| 閾值輸入電流（H／L）IFHL最大值（mA） | 3.5 | |
| 建議工作條件 | 總輸出供電電壓（VCC2-VEE）（V） | 21.5至30 |
| 負輸出供電電壓（VE-VEE）（V） | 6.5至15 | |
| 正輸出供電電壓（VCC2-VE）（V） | 15至23.5 | |
| 開關特性 | 傳播延遲時間（L／H）tpLH（ns） | 100至300 |
| 傳播延遲時間（H／L）tpHL（ns） | 100至300 | |
| 傳播延遲偏差（器件到器件）tpsk（ns） | -200至200 | |
| 高電平共模瞬態(tài)抑制 CMH最小值（kV/μs） |
±25 | |
| 高電平共模瞬態(tài)抑制 CML最小值（kV/μs） |
±25 | |
| 功能 | 保護功能 | IGBT VCE(sat)檢測、 欠壓鎖定（UVLO）[4] |
| 反饋（故障）：在檢測到VCE(sat)或UVLO（集電極開路輸出）時激活 | ||
| 隔離特性 （@Ta＝25℃） |
隔離電壓BVS最小值（Vrms） | 5000 |
| 機械參數(shù) | 最小電氣間隙（mm） | 8.0 |
| 最小爬電距離（mm） | 8.0 | |
| 內部最小隔離厚度（mm） | 0.4 | |
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