三菱電機株式會將發(fā)售2款“X系列LV100封裝HVIGBT模塊”，
2017-05-17 21:34:21 未知三菱電機株式會社將從9月開始、依次發(fā)售2款“X系列LV100封裝HVIGBT※1模塊”，作為面向電氣化鐵路、電力等大型工業(yè)機器的大容量功率半導體模塊的新產(chǎn)品。該模塊實現(xiàn)業(yè)內(nèi)最大電流密度※2，有助于實現(xiàn)逆變器的輸出功率和效率；并且采用全新封裝結(jié)構(gòu)，利于并聯(lián)應用，實現(xiàn)靈活配置，并提高系統(tǒng)可靠性。今后，計劃還將使用性能超過Si（硅片）更具低損耗化與高頻動作可能性的SiC※3制成LV100封裝產(chǎn)品，以充實產(chǎn)品陣容。
本產(chǎn)品將在 “PCIM Europe 2017”（5月16-18日于德國紐倫堡舉行）以及“PCIM Asia 2017”（6月27-29日于中國上海舉行）上展出。
※1 High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor：高壓絕緣柵型雙極晶體管
※2 截至2017年5月11日，根據(jù)本公司的調(diào)查
※3 Silicon Carbide：碳化硅
新產(chǎn)品的特點
1．實現(xiàn)業(yè)內(nèi)最大的電流密度，有助于實現(xiàn)逆變器的大功率和高效率
・采用三菱電機CSTBTTM※４結(jié)構(gòu)的第7代IGBT和RFC二極管※５硅片技術(shù)，作為Si模塊實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最大※2的電流密度，高達8.57A/cm2＜3.3kV/600A＞
・AC輸出主端子增加至3個，分散輸出電流，緩解主端子的發(fā)熱狀況，實現(xiàn)在大電流工況下可靠運行。
※4 載流子存儲式溝槽柵型雙極晶體管
※5 Relaxed Field of Cathode Diode：本公司獨有二極管，提高了陰極側(cè)電子遷移率
2．便于并聯(lián)應用，有效支持各個功率段的逆變器
・通過優(yōu)化端子布局，方便并聯(lián)應用，有效支持各個功率段的逆變器
3．通過全新封裝結(jié)構(gòu)，有助于實現(xiàn)逆變器系統(tǒng)的高度可靠性
・通過絕緣板與散熱板的一體化設(shè)計，改善熱循環(huán)壽命※6與功率半導體芯片的散熱性，由此實現(xiàn)功率循環(huán)壽命※7的提高，并有助于實現(xiàn)高度可靠性
※6 因相對較長時間的溫度循環(huán)令外殼溫度發(fā)生變化時的壽命
※7 因相對較短時間的溫度循環(huán)令芯片溫度發(fā)生變化時的壽命
發(fā)售概要
產(chǎn)品名 | 型號 | 額定電壓 | 額定電流 | 發(fā)售日期 |
X系列LV100封裝 HVIGBT模塊 | CM450DA-66X | 3.3kV | 450A | 自9月起 陸續(xù)提供 |
CM600DA-66X | 600A |
封裝 | 型號 | 額定電壓 | 額定電流 | 絕緣耐壓 | 結(jié)線 | 封裝尺寸 |
LV100 封裝 | CM450DA-66X | 3.3kV | 450A | 6kV rms | 2in1 | 100×140×40mm3 |
CM600DA-66X | 600A | |||||
標準（std） 封裝 | CM1200HC-66X | 3.3kV | 1200A | 6kV rms | 1in1 | 140×130×38mm3 |
CM1800HC-66X | 1800A | 140×190×38mm3 | ||||
CM1500HC-90XA | 4.5kV | 1500A | ||||
CM900HG-90X | 4.5kV | 900A | 10kV rms | 140×130×48mm3 | ||
CM600HG-130X | 6.5kV | 600A | ||||
CM1800HG-66X | 3.3kV | 1800A | 140×190×48mm3 | |||
CM1350HG-90X | 4.5kV | 1350A | ||||
CM900HG-130X | 6.5kV | 900A | ||||
CM1000HG-130XA | 1000A |
商標
CSTBT是三菱電機株式會社的注冊商標。
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