英特爾2013年中期 回擊ARM陣營
2012-12-12 22:11:42 本站原創處理器大廠英特爾宣布采用新一代3D晶體管Tri-Gate架構的22納米制程，已可以生產智能型手機及平板計算機使用的系統單芯片(SoC)，預計明年中旬開始以該制程量產Atom處理器，并希望藉此回攻由ARM陣營芯片供應商高通(Qualcomm)、輝達(NVIDIA)等所掌控的行動裝置核心應用處理器市場。
智能型手機及平板計算機的銷售暢旺，但內建芯片有逾9成是采用ARM架構的應用處理器，英特爾雖然推出Atom處理器應戰，但目前僅有摩托羅拉、聯想等少數手機廠采用，一直無法有效拓展市場占有率。
由于英特爾Atom處理器的功耗過高問題，是手機廠不想采用其芯片的主要原因，所以英特爾利用制程微縮來大幅降低功耗，昨日在舊金山舉行的國際電子元件會議(IEDM)中，宣布新一代22納米制程已可用來生產行動裝置SoC芯片，亦即英特爾將于明年推出、代號為Silvermont的Atom處理器。
以制程技術來看，高通Snapdragon已經走到28納米世代，輝達Tegra 3雖然仍采用40納米投片，但明年初將推出的Tegra 4也將微縮到28納米，德儀OMAP 5也是同樣采用28納米制程。而英特爾目前量產中的智能型手機用Atom處理器，仍使用32納米制程生產。
英特爾22納米制程是目前全球唯一采用3D晶體管架構的制程技術，現在用來生產Ivy Bridge處理器，由于技術已經十分成熟，所以將在明年中旬左右開始用來生產新一代Atom處理器。據了解，采用22納米制程的Atom芯片效能將較現在32納米制程提高20~65%，功耗也能大幅降低到足以與ARM應用處理器相抗衡。
對于ARM陣營來說，高通、輝達等業者明年仍將以28納米為主要制程，臺積電幾乎通吃所有代工訂單，但以晶圓代工廠的制程技術藍圖來看，要真正采用3D晶體管的鰭式場效晶體管(FinFET)架構，也要等到16/14納米制程，亦即2014年之后才可能導入量產。
