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發力QLC?英特爾明年將推128層NAND

2019-05-28 09:19:35 中關村在線
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Intel在今年的亞太研發中心媒體會議上,單獨介紹了他們在NAND閃存上的最新進展,在存儲產品中,Intel的構想是未來HDD機械硬盤在熱數據上會被QLC閃存硬盤取代,其主要作用是作為大容量數據備份之用。

3D QLC
 

英特爾認為,TLC閃存也會被取代,QLC未來是要擔大任的,并且表示他們的技術已經做到了讓QLC閃存的電壓控制跟TLC閃存一個級別,所以在使用壽命方面并不用過多擔憂。
 

此外,Intel還提到在NAND閃存上他們起步要落后于三星等公司,但在3D NAND閃存時代追上來了,QLC閃存直接使用了64層堆棧,單核心容量就有1024Gb,預計2020年則會推出128層堆棧的QLC閃存。


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關鍵詞: 英特爾 QLC NAND

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