英特爾公司和美光科技公司日前針對NAND閃存的制造環節推出了一項更為精密的全新20納米（nm）制程技術。該技術將用于生產8GB容量的多層單元（MLC）NAND閃存設備，這種設備可為在智能手機、平板電腦和固態硬盤（SSD）等計算解決方案中保存音樂、視頻、書籍和其它數據提供兼具大容量和小尺寸特點的存儲產品選擇。
數據存儲量的增長與平板電腦和智能手機功能的增強，對NAND閃存技術帶來了新的需求，對縮小其體積和提高其容量的需求尤為強烈。
英特爾公司與美光公司推出的全新20納米制程8GB NAND設備尺寸僅為118平方毫米，與兩家公司基于現有的25納米NAND制程的8GB NAND設備相比，可節約30%-40%的主板空間（取決于封裝類型）。這種閃存布局上的節省可讓平板電腦和智能手機生產商將額外的空間用于最終產品的改進，例如增加電池容量、擴大屏幕尺寸或增加
芯片數量來支持新的功能，從而實現更高的系統級效率。
全新的20納米制程8GB設備由
英特爾與美光的NAND閃存合資企業IM Flash Technologies（IMFT）公司生產，它是NAND制程和技術設計上的一次重大突破，進一步鞏固了兩家公司在光刻技術方面的領先地位。由于該技術與現有技術相比能夠幫助晶圓工廠增加約50%的產品容量，因此將NAND光刻技術升級為這一全新技術是提高晶圓工廠產量的一種最為經濟高效的方法，而且全新20納米NAND制程技術還保持了與前一代25納米NAND制程技術相當的性能和耐用性。
美光科技公司NAND解決方案事業部副總裁Glen Hawk表示：“與客戶緊密協作是美光的核心價值之一，通過這些努力，我們不斷發現具有競爭力的NAND閃存最終產品設計機遇。20納米NAND制程技術是我們創新和成長的延續，它讓美光可以為客戶提供更具性價比的增值固態存儲解決方案。”
英特爾公司副總裁兼非易失性存儲器解決方案事業部總經理Tom Rampone表示：“
英特爾的目標是支持用戶能夠快速、經濟地訪問全球范圍內的信息。處于行業領先地位的NAND制程技術讓
英特爾有能力為客戶提供一代又一代具備最高品質、且最為經濟高效的解決方案。隨著在業界持續引領制程技術的發展，以及快速完成我們整個晶圓工廠網絡在光刻技術上向更先進、更精密的技術的升級，
英特爾與美光的合資企業已堪稱制造業的一個典范。”
20納米制程8GB設備目前尚處于樣品階段，它有望于2011年下半年進入量產階段。
英特爾和美光還希望屆時推出一款16GB設備的樣品，它可在一個比美國郵票還小的單個固態存儲解決方案中提供高達128GB的存儲容量。
