英特爾公司和美光科技公司日前針對NAND閃存的制造環(huán)節(jié)推出了一項(xiàng)更為精密的全新20納米（nm）制程技術(shù)。該技術(shù)將用于生產(chǎn)8GB容量的多層單元（MLC）NAND閃存設(shè)備，這種設(shè)備可為在智能手機(jī)、平板電腦和固態(tài)硬盤（SSD）等計(jì)算解決方案中保存音樂、視頻、書籍和其它數(shù)據(jù)提供兼具大容量和小尺寸特點(diǎn)的存儲產(chǎn)品選擇。
數(shù)據(jù)存儲量的增長與平板電腦和智能手機(jī)功能的增強(qiáng)，對NAND閃存技術(shù)帶來了新的需求，對縮小其體積和提高其容量的需求尤為強(qiáng)烈。
英特爾公司與美光公司推出的全新20納米制程8GB NAND設(shè)備尺寸僅為118平方毫米，與兩家公司基于現(xiàn)有的25納米NAND制程的8GB NAND設(shè)備相比，可節(jié)約30%-40%的主板空間（取決于封裝類型）。這種閃存布局上的節(jié)省可讓平板電腦和智能手機(jī)生產(chǎn)商將額外的空間用于最終產(chǎn)品的改進(jìn)，例如增加電池容量、擴(kuò)大屏幕尺寸或增加
芯片數(shù)量來支持新的功能，從而實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)級效率。
全新的20納米制程8GB設(shè)備由
英特爾與美光的NAND閃存合資企業(yè)IM Flash Technologies（IMFT）公司生產(chǎn)，它是NAND制程和技術(shù)設(shè)計(jì)上的一次重大突破，進(jìn)一步鞏固了兩家公司在光刻技術(shù)方面的領(lǐng)先地位。由于該技術(shù)與現(xiàn)有技術(shù)相比能夠幫助晶圓工廠增加約50%的產(chǎn)品容量，因此將NAND光刻技術(shù)升級為這一全新技術(shù)是提高晶圓工廠產(chǎn)量的一種最為經(jīng)濟(jì)高效的方法，而且全新20納米NAND制程技術(shù)還保持了與前一代25納米NAND制程技術(shù)相當(dāng)?shù)男阅芎湍陀眯浴?br>
美光科技公司NAND解決方案事業(yè)部副總裁Glen Hawk表示：“與客戶緊密協(xié)作是美光的核心價(jià)值之一，通過這些努力，我們不斷發(fā)現(xiàn)具有競爭力的NAND閃存最終產(chǎn)品設(shè)計(jì)機(jī)遇。20納米NAND制程技術(shù)是我們創(chuàng)新和成長的延續(xù)，它讓美光可以為客戶提供更具性價(jià)比的增值固態(tài)存儲解決方案。”
英特爾公司副總裁兼非易失性存儲器解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Tom Rampone表示：“
英特爾的目標(biāo)是支持用戶能夠快速、經(jīng)濟(jì)地訪問全球范圍內(nèi)的信息。處于行業(yè)領(lǐng)先地位的NAND制程技術(shù)讓
英特爾有能力為客戶提供一代又一代具備最高品質(zhì)、且最為經(jīng)濟(jì)高效的解決方案。隨著在業(yè)界持續(xù)引領(lǐng)制程技術(shù)的發(fā)展，以及快速完成我們整個(gè)晶圓工廠網(wǎng)絡(luò)在光刻技術(shù)上向更先進(jìn)、更精密的技術(shù)的升級，
英特爾與美光的合資企業(yè)已堪稱制造業(yè)的一個(gè)典范。”
20納米制程8GB設(shè)備目前尚處于樣品階段，它有望于2011年下半年進(jìn)入量產(chǎn)階段。
英特爾和美光還希望屆時(shí)推出一款16GB設(shè)備的樣品，它可在一個(gè)比美國郵票還小的單個(gè)固態(tài)存儲解決方案中提供高達(dá)128GB的存儲容量。
