EETOP消息，據(jù)韓國(guó)媒體businesskorea報(bào)道，三星電子公司的一位高級(jí)官員6月8日表示，該公司正在加速開(kāi)發(fā)具有200層以上的V-NAND閃存。
"公司已經(jīng)獲得了具有200層以上的第八代V-NAND解決方案的工作芯片，并計(jì)劃根據(jù)消費(fèi)者的需求將其推向市場(chǎng)。"執(zhí)行副總裁兼閃存產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Song Jai-hyuk在該公司新聞室發(fā)表的一篇文章中說(shuō)。
三星電子目前正在進(jìn)行研究，目標(biāo)是開(kāi)發(fā)第八代228層的V-NAND閃存。
該公司目前正在平澤的新工廠（2號(hào)廠）測(cè)試第七代176層V-NAND閃存的生產(chǎn)線。生產(chǎn)量為每月10,000張12英寸晶圓。預(yù)計(jì)在2021年下半年這條生產(chǎn)線投產(chǎn)后，將立即開(kāi)始為第八代V-NAND閃存的大規(guī)模生產(chǎn)做準(zhǔn)備。
三星電子在推出新產(chǎn)品之前披露下一代NAND閃存的層數(shù)，這是很不尋常的。不正式宣布層數(shù)是很常見(jiàn)的，因?yàn)樵陂_(kāi)發(fā)過(guò)程中，層數(shù)可能會(huì)改變，或者產(chǎn)品路線圖可能會(huì)改變。Song的文章似乎旨在強(qiáng)調(diào)，在NAND閃存技術(shù)方面，沒(méi)有公司能與三星電子相匹敵。
到目前為止，三星電子在NAND市場(chǎng)表現(xiàn)出無(wú)可匹敵的影響力，但最近隨著美光科技在2020年11月宣布，它在全球首次開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)176層的NAND閃存。以及SK海力士正式宣布，它已獲得176層NAND閃存技術(shù)。使得三星電子的技術(shù)優(yōu)勢(shì)正面臨挑戰(zhàn)。有分析稱，三星電子將在第七代產(chǎn)品開(kāi)始量產(chǎn)后立即加快第八代V-NAND閃存的量產(chǎn)，以保持與對(duì)手的技術(shù)差距。
Song介紹了該公司即將量產(chǎn)的第七代V-NAND產(chǎn)品。他說(shuō)，三星176層的第七代V-NAND在高度上與業(yè)界第六代100多層的V-NAND相似。
他表示："三星通過(guò)高度創(chuàng)新的3D縮放技術(shù)，同時(shí)減少其表面積和高度，成功地將單元體積減少到35%。
三星電子計(jì)劃于2021年下半年向消費(fèi)者發(fā)布業(yè)內(nèi)cell-size大小的固態(tài)硬盤(SSD)。
