EETOP消息，據韓國媒體businesskorea報道，三星電子公司的一位高級官員6月8日表示，該公司正在加速開發具有200層以上的V-NAND閃存。
"公司已經獲得了具有200層以上的第八代V-NAND解決方案的工作芯片，并計劃根據消費者的需求將其推向市場。"執行副總裁兼閃存產品與技術負責人Song Jai-hyuk在該公司新聞室發表的一篇文章中說。
三星電子目前正在進行研究，目標是開發第八代228層的V-NAND閃存。
該公司目前正在平澤的新工廠（2號廠）測試第七代176層V-NAND閃存的生產線。生產量為每月10,000張12英寸晶圓。預計在2021年下半年這條生產線投產后，將立即開始為第八代V-NAND閃存的大規模生產做準備。
三星電子在推出新產品之前披露下一代NAND閃存的層數，這是很不尋常的。不正式宣布層數是很常見的，因為在開發過程中，層數可能會改變，或者產品路線圖可能會改變。Song的文章似乎旨在強調，在NAND閃存技術方面，沒有公司能與三星電子相匹敵。
到目前為止，三星電子在NAND市場表現出無可匹敵的影響力，但最近隨著美光科技在2020年11月宣布，它在全球首次開始大規模生產176層的NAND閃存。以及SK海力士正式宣布，它已獲得176層NAND閃存技術。使得三星電子的技術優勢正面臨挑戰。有分析稱，三星電子將在第七代產品開始量產后立即加快第八代V-NAND閃存的量產，以保持與對手的技術差距。
Song介紹了該公司即將量產的第七代V-NAND產品。他說，三星176層的第七代V-NAND在高度上與業界第六代100多層的V-NAND相似。
他表示："三星通過高度創新的3D縮放技術，同時減少其表面積和高度，成功地將單元體積減少到35%。
三星電子計劃于2021年下半年向消費者發布業內cell-size大小的固態硬盤(SSD)。
