東芝公司推出新款高性能ESD保護二極管
2016-05-05 17:27:56 未知 |
致力于與科技公司合作以創造突破性設計的行業領袖東芝美國電子元件公司（TAEC）今天宣布推出4款新型ESD保護二極管：DF2B5M4SL、DF2B6M4SL、DF10G5M4N和DF10G6M4N。新款高性能二極管可以保護移動設備免遭靜電放電和噪聲的傷害，面向智能手機、平板電腦、筆記本電腦和可穿戴設備。
TAEC公司業務開發經理Talayeh Saderi指出：“通過采用專有Snapback技術的新工藝，這些產品同時實現了低電容、低動態電阻和高耐用度。它們非常穩健，有助于提升系統可靠性。”
東芝的新款ESD保護二極管通過RDYN = 0.5 O（典型值）的低動態電阻實現了高性能。與采用傳統ESD保護二極管陣列工藝*1的二極管相比，其電阻提高了50%。
至于封裝，DF2B5M4SL和DF2B6M4SL小巧的SOD-962（0.62x0.32mm）封裝使它們適于高密度安裝，而DF10G5M4N和DF10G6M4N的DFN10多位封裝實現了流通布局。
主要特性：
高保護性能和低動態電阻：
RDYN = 0.5 O（典型值）（比傳統工藝產品高50％）
通過低電容抑制信號質量退化：
Ct = 0.2 pF（典型值）@ VR = 0 V，f = 1 MHz
高靜電放電電壓：
VESD = ±20 kV（最小值）@ IEC61000-4-2（接觸放電）
4級（比傳統工藝產品約高2倍）
低箝位電壓：
DF2B5M4SL、DF10G5M4N：VC = 24 V（典型值）@ ITLP = 30 A
DF2B6M4SL、DF10G6M4N：VC = 25 V（典型值）@ ITLP = 30 A
主要技術規格 |
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產品編號 | 位數 | 絕對最大額定值 | VRWM（最大值，V） | VBR (V) | VC（典型值，V）*3 | RDYN（典型值）*3@8 ~ 16 A (O) | Ct（典型值）@0 V, 1 MHz (pF) | 封裝 |
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VESD*2(kV) | |||||||||||||
最小值/最大值 | @IBR(mA) | @16 A | @30 A |
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DF2B5M4SL | 1位 | ±20 | 3.6 | 4/6 | 1 | 17 | 24 | 0.5 | 0.2 | SOD-962 |
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DF10G5M4N | 4位 | DFN10 |
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DF2B6M4SL | 1位 | 5.5 | 5.6/8 | 18 | 25 | SOD-962 |
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DF10G6M4N | 4位 | DFN10 |
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* 1：DF2B7M2SL（EAP-II工藝產品）
* 2：@ IEC61000-4-2（接觸放電）
* 3：@ TLP參數：ZO = 50 O、TP = 100 ns、TR = 300 ps、平均窗口T1 = 30 ns至T2 = 60 ns
定價及供貨情況
東芝的新款ESD保護二極管現已上市。如需樣品，敬請聯系當地東芝銷售辦事處。
