DIALOG SEMICONDUCTOR PWM 控制器 降低智能手機電源BOM成本和待機功耗
2013-09-22 20:34:57 本站原創Dialog Semiconductor plc 日前推出業內首個可輕松、高效驅動低成本、10W功率雙極晶體管 (BJT) 的數字脈寬調制 (PWM) 控制器，從而降低5V/2A智能手機適配器和充電器的BOM 成本。新型iW1679可供設計師以低成本BJT取代場效應晶體管 (FET)，滿足智能手機、多媒體平板電腦和消費電子產品降低待機功耗、提高輕載和平均工作效率的市場需求。iW1679由Dialog電源轉換業務部 (前iWatt公司) 開發，旨在推進Dialog實現其拓展市場的目標。
iW1679在降低材料清單成本的同時，采用Dialog自適應多模式PWM/PFM控制技術，動態改變BJT開關頻率，從而提高效率。這樣可以優化系統、提高輕載效率、降低功耗和電磁干擾 (EMI)。iW1679平均工作效率高達83%，在10%輕載條件下保持高效率，空載待機功耗小于30mW，且待機恢復速度快。這使設計師可實現甚至超過最新全球能效標準，包括嚴格的European CoC version 5(1)標準(該標準要求平均工作效率達到76%，10%負載條件下保持高輕載效率)以及要求平均工作效率達到79%的U.S. DoE(2)標準和要求平均工作效率達到73%的Energy Star EPS 2.0(3)標準。
“5W和5W以下的電源普遍采用BJT，Dialog是這一領域的領導者，提供各種專門用于驅動BJT的數字PWM控制器，”Dialog電源轉換業務部副總裁兼總經理Ron Edgerton說，“通過推出iW1679，我們將這種豐富的專業技術應用于高功率電源，使其同樣具備低成本、高效率和高性能的優點。”
盡管BJT成本低于FET，但BJT驅動要求更加復雜。為解決這一問題，iW1679采用Dialog數字控制專利技術，主動調節BJT基極驅動電流。這樣可優化性能，提高效率，避免BJT飽和。由于BJT比FET切換速度慢，它所產生的噪聲較低，因此降低了EMI。iW1679采用Dialog的EZ-EMI®技術，這種采用波谷導通開關模式的內部EMI技術，進一步降低了EMI，簡化生產并減少所需外部EMI濾波元件。這種技術還包括專利的開關模式，不會產生控制器可聞噪聲。
與采用FET的設計相比，iW1679可降低高達10%(4)的BOM成本。Dialog的PrimAccurate™原邊控制專利技術去除了所需的次級調節器和光耦器件，從而可以進一步節省BOM成本。
iW1679提供可由用戶可配置的四級線壓降補償選項，消除了為滿足各種輸出電壓要求而訂購儲備多種版本產品的問題。本器件采用標準低成本8引腳SOIC封裝，具有各種故障條件的全面保護功能，包括輸出短路、輸出過壓、輸出過流和過溫保護。
iW1679 主要特性
· 輸出功率：5W至10W
· 驅動低成本、10W BJT功率開關以降低BOM成本
· PrimAccurate™ 原邊控制專利技術提高可靠性、減小解決方案尺寸、降低BOM成本
· 自適應多模式PWM/PFM專利技術優化輕載效率、EMI和功耗
· 已申報專利的準諧振控制優化各種負載條件下的效率
· 高達83%的平均工作效率
· <30mW 超低待機功耗
· 符合嚴格的全球能效標準，包括：U.S. DoE、European CoC version 5、Energy Star EPS 2.0
封裝、定價、供貨
iW1679 現已實現量產，1000支起訂量單價為0.29美元。
