三星研發針對移動設備20nm 4Gb LPDDR3內存
2013-05-02 22:14:57 本站原創三星電子日前宣布，開始生產4GB容量低功耗LPDDR3芯片，采用20納米級工藝技術。
新的4Gb LPDDR3移動芯片，可媲美PC中使用的標準型DRAM的性能水平，使其成為一個有吸引力的解決方案，為要求苛刻的下一代高性能智能手機和平板電腦等移動設備提供高密度多媒體存儲。
4Gb LPDDR3的數據傳輸速度高達2133Mbp/每引腳，傳輸性能是之前移動內存標準LPDDR2 800Mbps的2倍以上。同時，和30納米級的LPDDR3相比，新設備性能上提高了30%，同時功耗節省20%。
此外，通過采用三星的4Gb LPDDR3移動DRAM，原始設備制造商可以達成1個高度僅0.8mm的封包，其中包括四顆三星4Gb LPDDR3移動芯片。
三星還表示，將在2013年晚些時候，增加生產20納米級的移動DRAM芯片。
