聯電研發14nmFinFET技術 較28nm效能提升35～40%
2012-11-05 20:03:38 本站原創聯電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術將于后年初開始試產。聯電正全力研發新一代14nmFinFET制程技術，預計效能可較現今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應用處理器低功耗與高效能優勢，擴大搶攻通訊與消費性電子IC制造商機。
聯電執行長孫世偉表示，14nmFinFET制程技術將會是聯電切入未來次世代通訊運算市場的最佳利器。
聯電執行長孫世偉表示，由于晶圓從28跨入20nm制程以下的微縮過程中，勢必得使用雙重曝光(DoublePatterning)微影技術才能實現，而此一技術無論是微影機臺或人力研發等成本都相當高昂，因此造成許多出貨量不大的IC設計商不愿投資大筆資金導入，間接使20nm市場需求無法擴大。
具備低功耗特性的FinFET制程技術，盡管仍無法省去雙重曝光微影技術的成本，但卻能大幅提升單位面積內電晶體的整體效能，降低IC設計商因雙重曝光微影技術所帶來的成本沖擊，因此遂成為各家晶圓代工業者爭相競逐的技術。
孫世偉進一步指出，在IBMFinFET技術授權的基礎下，聯電將跳過20nm制程，直接跨入14nmFinFET制程技術，藉此為通訊與行動運算領域客戶提供更具效能優勢的解決方案。此一新制程目前正于南科研究中心全力研發中，預計2014年初可完成驗證，并旋即進行試產。
然而，相較于臺積電與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)均表示將于2014年初量產16/14nmFinFET，聯電量產時程顯然稍慢，如何后發先至遂成為業界關注焦點。孫世偉強調，盡管聯電在此一制程上的研發起步較晚，但相對FinFET制程所需的機臺制造技術亦較為成熟，且設備價格也較為便宜，再加上與IBM技術交流等助益，未來量產品質與時程都將可較競爭對手更符合客戶需求。
另一方面，聯電28nm產品線則可望于年底量產，并于明年第一季開始貢獻營收。孫世偉補充，首波28nmPorting產品在經過幾個月元件及制程參數調整后，良率已獲得顯著提升，且公司亦于第三季成功投片(Tapeout)使用28nm后閘極(Gate-last)高介電質金屬閘極(HKMG)制程的行動通訊產品，并陸續與相關客戶密切合作中。
據悉，目前聯電晶圓廠產能利用率為84%，其中，40nm先進制程比重持續提升中，且平均銷售單價較上季攀升，并已刺激營業收入向上成長，而營收貢獻亦從第二季9%成長至第三季的13%，年底前則可望到達15%。
除標準產品外，聯電也開始提供適用于觸控晶片領域的解決方案--embeddedFlash特殊制程技術平臺，并已有數家主流觸控廠商開始采用，而這些特殊制程技術也可望為聯電營收成長注入全新動能。
此外，對于各大晶圓廠皆預期第四季與明年初營收成長將趨緩，孫世偉表示，現今晶圓代工制造正處在庫存調整及景氣循環周期中，聯電預估此波庫存調整將持續至明年初，景氣回溫的脈動將取決于明年總體經濟、終端產品市場需求與新產品交替力道強弱;而公司未來將持續擴大客戶層面，改善產品組合，并進一步提升產能調配的彈性來降低周期性波動所帶來的沖擊。
