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2013年9月，JEDEC發布了UFS 2.0的閃存存儲標準，其最大的特點是采用串行數據傳輸，全雙工模式，支持指令隊列。相比EMMC讀取寫入分開進行的半雙工模式，UFS的全雙工模式意味著讀取和寫入可以同時進行。指令隊列的加入意味著無需再向EMMC5.1之前的版本一樣，每一條指令的提交必須等待前一條指令的完成。

UFS 2.0閃存讀寫速度強制標準為HS-G2（High speed GEAR2），可選標準為HS-G3。HS-G2 1Lane最高讀寫速度為2.9Gbps（約為360MB/s），2Lane最高讀寫速度為5.8Gbps（約為725MB/s）?？蛇x標準HS-G3 1Lane最高讀寫速度為5.8Gbps（約為725MB/s），2Lane最高讀寫速度為11.6Gbps（約為1.45GB/s）。HS-G2 1Lane由于讀寫速度與EMMC5.1相比沒有明顯的優勢，相應的商業產品較為罕見。

UFS系統模型

2016年3月，JEDEC發布了UFS 2.1的閃存存儲標準。相比UFS2.0，速度標準沒有任何變化，仍然為強制標準HS-G2，可選標準HS-G3。改進主要分為三部分：設備健康（包括預防性維護）、性能優化（包括指令優先和固件升級）和安全保護。設備健康信息包括剩余預留塊和設備使用壽命信息，指令優先允許向緊急的任務分配更高的優先級，安全保護則支持操作系統和應用級別細粒度的寫入保護（包括UFS控制器硬件級別加密）。

UFS2.1/UFS2.0采用相同的速率標準

UFS2.1（JESD220C） / UFS2.0（JESD220B）區別

對于閃存制造商而言，由于UFS2.0已推出HS-G3 2Lane對應的版本，UFS2.1選用更低的標準不再有太多的意義。因此市面上UFS2.1全部采用可選的HS-G3 2Lane標準，即最高讀寫速率為11.6Gbps。

需要提醒的是，部分手機制造商更青睞宣傳HS-G3 2Lane兩倍的讀寫速度（11.6Gbps，接近1.5GB/s），并將其作為"UFS2.1"的事實標準。以三星S8和華為Mate9使用的東芝UFS2.0閃存為例，型號為THGBF7G9L4LBATR的產品采用HS-G3 2Lane標準，最高讀寫速率為1166MB/s，與三星S8+使用的東芝UFS2.1閃存THGAF4G9N4LBAIR在最高讀寫速率上沒有區別。然而，后者得益于全新的產品，其順序讀取、順序寫入、隨機讀取、隨機寫入比前者分別快40%、16%、120%、80%。