東芝推出采用其最新一代工藝的80V N溝道功率MOSFET,助力提高電源效率
2020-03-31 08:26:34 東芝器件型號 | TPH2R408QM | TPN19008QM | ||
絕對 最大 額定值 |
漏源電壓VDSS(V) | 80 | 80 | |
漏極電流(DC)ID(A) | @Tc=25℃ | 120 | 34 | |
通道溫度Tch(℃) | 175 | 175 | ||
電氣 特性 |
漏源導通電阻 RDS(ON)最大值(mΩ) |
@VGS=10V | 2.43 | 19 |
@VGS=6V | 3.5 | 28 | ||
總柵極電荷(柵源+柵漏) Qg典型值(nC) |
87 | 16 | ||
柵極開關電荷Qsw典型值(nC) | 28 | 5.5 | ||
輸出電荷Qoss典型值(nC) | 90 | 16.5 | ||
輸入電容Ciss典型值(pF) | 5870 | 1020 | ||
封裝 | 名稱 | SOP Advance | TSON Advance | |
尺寸典型值(mm) | 5.0×6.0 | 3.3×3.3 | ||
庫存查詢與購買 | 在線購買 | 在線購買 |
EETOP 官方微信
創(chuàng)芯大講堂 在線教育
半導體創(chuàng)芯網(wǎng) 快訊