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意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計人員提供一個更快捷經(jīng)濟的能效解決方案，適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)（HVAC）電機驅(qū)動、不間斷電源、太陽能轉(zhuǎn)換器以及所有的硬開關(guān)（hard-switching）電路拓?fù)?0kHz功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

采用意法半導(dǎo)體的第三代溝柵式場截止型（trench-gate field-stop）低損耗制造工藝，M系列IGBT有一個全新溝柵（trench gate）和特殊設(shè)計的P-N-P垂直結(jié)構(gòu)，可以在導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗之間找到了最佳平衡點，從而能夠大幅提升晶體管的整體性能。在150°C初始高結(jié)溫時，最小短路耐受時間為6μs，175°C最大工作結(jié)溫及寬安全工作范圍有助于延長元器件的使用壽命，同時提高對功率耗散有極高要求的應(yīng)用可靠性。

此外，新產(chǎn)品的封裝還集成了新一代續(xù)流二極管（Free-wheeling Diode）。新二極管提供快速恢復(fù)功能，并同時保持低正向壓降和高恢復(fù)軟度。這項設(shè)計不僅可實現(xiàn)優(yōu)異的EMI保護功能，同時可以有效降低開關(guān)損耗。正V_CE(sat)溫度系數(shù)，結(jié)合緊密的參數(shù)分布，使新產(chǎn)品能夠安全并聯(lián)，并滿足更大功率的要求。

M系列產(chǎn)品的主要特性：

·650V IGBT，大部分競爭產(chǎn)品為600V；

·低V_CE(sat) (1.55V @25°C)電壓，能夠最大限度降低導(dǎo)通損耗；

·出色的穩(wěn)健性，擁有廣泛的安全工作范圍以及無閂鎖現(xiàn)象（latch-free operation）；

·業(yè)內(nèi)最佳的E_tot - V_ce(sat)平衡比；

·175°C最大工作結(jié)溫；

·高溫短路耐受時間最短6μs；

·電壓過沖有限，確保關(guān)斷期間無振蕩；