美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應(yīng)用的創(chuàng)新SiC MOSFET系列
2014-06-03 20:51:59 本站原創(chuàng)美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產(chǎn)品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創(chuàng)新SiC MOSFET器件設(shè)計用于效率至關(guān)重要的大功率工業(yè)應(yīng)用，包括用于太陽能逆變器、電動汽車、焊接和醫(yī)療設(shè)備的解決方案。
美高森美擁有利用SiC半導(dǎo)體市場增長的良好條件，據(jù)市場研究機構(gòu)Yole Développement預(yù)計，從2015年至2020年，SiC功率半導(dǎo)體市場的同比增長率將達到39%，而且Market Research預(yù)計SiC半導(dǎo)體市場將于2022年達到53億美元，同比增長率38%。
新型SiC MOSFET器件
全新SiC MOSFET器件采用來自美高森美的專利技術(shù)，特別設(shè)計以幫助客戶開發(fā)在更高頻率下運行并提升系統(tǒng)效率的解決方案。
美高森美的專利 SiC MOSFET技術(shù)特性包括 ：
- 同級最佳的RDS(on)對比溫度
- 超低柵極電阻，最大限度減小開關(guān)能耗
- 出色的最大開關(guān)頻率
- 卓越的穩(wěn)定性和出色的短路耐受性
美高森美功率產(chǎn)品組總經(jīng)理Marc Vandenberg表示：“美高森美的1200V SiC MOSFET建立了全新的性能基準(zhǔn)，我們利用公司內(nèi)部的SiC制造能力，繼續(xù)擴大SiC產(chǎn)品組合，為客戶提供創(chuàng)新的大功率解決方案。”
美高森美的1200V SiC MOSFET器件的額定電阻為 80mΩ和 50mΩ，通過同時提供行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO-247和SOT-227封裝，可為客戶提供更多的開發(fā)靈活性 ：
- APT40SM120B 1200V、80mΩ、40A、TO-247 封裝
- APT40SM120J 1200V、80mΩ、40A、SOT-227封裝
- APT50SM120B 1200V、50mΩ、50A、TO-247封裝
- APT50SM120J 1200V、50mΩ、50A、SOT-227封裝
新型SiC MOSFET功率模塊
美高森美SiC MOSFET還可以集成進公司擴展的MOSFET功率模塊中，用于電池充電、航空航天、太陽能、焊接和其它大功率工業(yè)應(yīng)用。新的功率模塊具有更高的工作頻率并提升了系統(tǒng)效率。
新型1700V肖特基二極管
美高森美的 SiC MOSFET器件也與公司完整的SiC肖特基二極管產(chǎn)品系列相輔相成，全新的1700V SiC肖特基二極管將產(chǎn)品線擴展至1200V和650V以上，這些產(chǎn)品設(shè)計使用出色的鈍化技術(shù)，在室外和潮濕應(yīng)用中實現(xiàn)穩(wěn)健性。
供貨
美高森美現(xiàn)已提供采用TO-247封裝的新型1200V SiC MOSFET器件，并將于2014年7月提供SOT-227封裝型款，另外，現(xiàn)在也提供SiC MOSFET功率模塊和1700V肖特基二極管產(chǎn)品。
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