飛兆半導(dǎo)體開發(fā)了FDMC86xxxP系列P溝道PowerTrench MOSFET
2014-02-15 18:24:58 本站原創(chuàng)飛兆半導(dǎo)體開發(fā)了FDMC86xxxP系列P溝道PowerTrench®MOSFET，在尺寸減小的同時(shí)可實(shí)現(xiàn)卓越的開關(guān)速度和功耗性能。
該系列包括FDMC86261P 150 V和FDMC86139P 100 V P溝道MOSFET。與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的器件相比，這類P溝道MOSFET具有更好的開關(guān)性能品質(zhì)因數(shù)(FOM)，比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手提供的最佳器件還要高出67%。此外，其導(dǎo)通損耗減小了46%，開關(guān)損耗減小了38%。因此，設(shè)計(jì)人員能夠縮小尺寸并提高系統(tǒng)整體性能。
相比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手提供的5 mm x 6 mm封裝解決方案，該系列器件采用3 mm x 3 mm MLP封裝，可節(jié)省電路板空間。此外，F(xiàn)DMC86xxxP系列可滿足客戶對(duì)于耗散更少功率實(shí)現(xiàn)更高能效的更低 熱特性需求。該器件還具有同尺寸器件中最低的導(dǎo)通電阻RDS(ON)。
飛兆半導(dǎo)體低壓產(chǎn)品營(yíng)銷總監(jiān)Mike Speed表示：“眾所周知，傳統(tǒng)產(chǎn)品因功耗高而效率低下，不適用于如今的電源和電機(jī)控制電路。客戶如果轉(zhuǎn)而采用FDMC86xxxP系列器件，那么在其應(yīng)用中就能使功耗降低多達(dá)50%，從而提升系統(tǒng)整體性能，并降低其終端產(chǎn)品中的能耗，有助于節(jié)省全球資源。”
主要功能：
·極低RDS(ON)中壓P溝道硅技術(shù)，優(yōu)化得到較低的Qg
·非常適合快速開關(guān)應(yīng)用以及負(fù)載開關(guān)應(yīng)用
·100%經(jīng)過(guò)UIL®測(cè)試
·符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
空間受限型應(yīng)用以及我們的客戶和其所服務(wù)的市場(chǎng)要求DC-DC電源的尺寸更小、電流更高，基于對(duì)這一需求的理解，飛兆半導(dǎo)體量身定制結(jié)合了功能、工藝和創(chuàng)新封裝技術(shù)的節(jié)能型解決方案，從而能使您的電子設(shè)計(jì)與眾不同。
價(jià)格： 1000 件的價(jià)格（美元）
FDMC86261P： 0.80美元（提供樣品）
FDMC86139P: 0.68美元（提供樣品）
可供： 按需提供樣品
交貨期： 收到訂單后的8到10 周內(nèi)
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