好看的课外书,已完结小说排行榜,手机推荐排行榜

Vishay的17款新器件擴充600V N溝道功率MOSFET系列

2012-10-22 21:41:25 本站原創(chuàng)

點擊關(guān)注->創(chuàng)芯網(wǎng)公眾號，后臺告知EETOP論壇用戶名，獎勵200信元

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件，將該系列MOSFET在10V下的導通電阻擴展到39mΩ～600mΩ，將最高電流等級擴展至7A～73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一代超級結(jié)技術(shù)，使公司進入使用功率轉(zhuǎn)換技術(shù)的增量市場，包括照明、適配器和高功率可再生能源系統(tǒng)。

　　今天發(fā)布的器件使600V E系列MOSFET的器件數(shù)量增加到27個。所有的E系列器件都具有超低的導通電阻和柵極電荷，可實現(xiàn)極低的傳導損耗和開關(guān)損耗，從而在功率因數(shù)校正、服務器和通信電源系統(tǒng)、焊接、不間斷電源(UPS)、電池充電器、LED照明、半導體生產(chǎn)設備、適配器和太陽能電池逆變器等高功率、高性能的開關(guān)應用中節(jié)約能源。

　　器件可承受雪崩和通信模式中的高能脈沖，保證通過100% UIS測試時達到極限條件。MOSFET符合RoHS指令。